晕蚤 全硅化金属栅功函数调节技术研究鄢.pdfVIP

物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援员园 渊圆园员员冤摇 员园愿员园圆 晕蚤全硅化金属栅功函数调节技术研究鄢 覮 周华杰 摇 徐秋霞 渊中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室袁北京摇 员园园园圆怨冤 渊圆园员园年员圆月员苑 日收到曰圆园员员年员月员园 日收到修改稿冤 摇 摇 通过制备栅内不同掺杂条件的晕蚤全硅化金属栅电容并分析其悦鄄灾和灾 鄄耘韵栽特性发现袁郧葬和再遭较常规的杂质 枣遭 而言具有更好的栅功函数调节能力袁能够分别将晕蚤全硅化金属栅电极功函数调节到价带顶和导带底附近袁满足高性 能体硅平面互补金属氧化物半导体渊悦酝韵杂冤器件对栅电极功函数的要求援 同时根据电偶极子渊阅蚤责燥造藻冤理论分析了郧葬 和再遭具有较强栅功函数调节能力的原因援 另外袁研究发现栅内掺入郧葬或再遭杂质后的晕蚤全硅化金属栅电容的电容 值变大尧栅极泄漏电流反而变小袁通过对悦鄄灾和栅极泄漏电流特性进行分析袁对这一现象进行了解释援 关键词院金属栅电极袁功函数袁硅化物 孕粤悦杂院愿员援园缘援月曾袁愿员援园缘援允藻袁愿员援园缘援悦赠 功函数调节能力有限袁无法满足高性能平面体硅 员郾 引 言 悦酝韵杂器件栅功函数的要求援 为了获得更大的栅 功函数调节能力袁本文对非常规的掺镱渊再遭冤和镓 随着集成电路产业的发展袁金属栅电极渊皂藻贼葬造 渊郧葬冤杂质的 晕蚤全硅化金属栅功函数调节能力进 早葬贼藻冤将取代传统的多晶硅栅电极成为下一代栅电 行了深入研究援 极材料援 金属栅电极较多晶硅栅电极而言具有以 下优点院消除了多晶硅耗尽效应尧没有硼穿透效 圆郾 实 验 应尧电阻率低尧与下一代高介电常数栅介质材料 渊匀蚤早澡运冤兼容性好援 迄今为止袁国内外科研人员已 实验制备了三种不同栅氧化层厚度的晕蚤全硅 经提出了多种金属栅电极制备方案咱员要缘暂援 美国 化金属栅电容援 采用晕渊员园园冤电阻率圆要源赘窑糟皂 和 陨灶贼藻造公司采用后栅工艺渊郧葬贼藻蕴葬泽贼冤方案在世界上 孕渊员园园冤电阻率员缘要圆缘赘窑糟皂的硅衬底制备责 型和 灶型酝韵杂 电容分别来研究郧葬和再遭元素的栅功函 首先将 匀蚤早澡 运辕酝藻贼葬造郧葬贼藻 技术成功应用在其源缘 数调节能力援 具体工艺过程如下院首先在衬底上形 灶皂工艺制程中袁这宣告了 匀蚤早澡 运辕酝藻贼葬造郧葬贼藻 时代 成局部氧化隔离结构渊蕴韵悦韵杂冤曰热生长三种不同厚 的到来援 但是从制备工艺的角度袁该方案仍然存在 可靠性和成本等问题咱远暂援 由于全硅化金属栅电极 度的氧化层栅介质层袁其厚度通过椭偏仪测定分别 为 员郾愿袁猿郾源 和 源郾源 灶皂曰接着低压化学气相淀积 渊云哉杂陨冤方案与传统的 悦酝韵杂工艺相比袁对原有的 渊蕴孕悦灾阅冤员愿园园魡多晶硅并光刻尧刻蚀形成栅电极曰 工艺改动较小袁能够继承以前工艺的一些特点袁也 向栅内注入不同剂量的杂质渊再遭或 郧葬冤曰进行杂质 成为一种可供选择的低成本的金属栅电极集成方