LED检测术1绪论及第一讲.ppt

六 其他测量技术 6. 电致发光量测（EL） 电致发光分析参数：亮度(mcd) 、正向偏压(Vf)、波长(nm)、半峰宽、反向电流、波长漂移、反向电压、抗ESD能力等等 7. 扫描电镜测量表面形貌 8. 金相显微镜测量表面形貌 LED芯片测量技术 五 邑 大 学 2014年诺贝尔物理学奖 赤崎勇 (Isamu Akasaki） 日本名城大学终身教授 中村修二） (Shuji Nakamur) 美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授 天野浩（Hiroshi Amano) 名古屋大学教授 比窦娥还冤的Nick Holonyak 可见光（红光）LED发明者 LED产业链 应用 外延 芯片 封装 指示显示 特种照明 背光源 普通照明 基片 装饰照明 本课程的主要内容 LED芯片测量技术？ NO!!! 主要内容：LED测量技术 1. LED外延、芯片的制作工艺及检测技术 2. LED器件常用光电参数及检测原理、技术 3. LED热学特性的检测技术 4. LED灯具特性的检测方法和技术 5. LED检测新技术及发展趋势 第一讲（上） LED外延工艺及检测技术 外延技术 一、化学气相淀积法 CVD（Chemical Vapor Deposition) 普亮红、橙、黄绿色LED材料生长（指示灯）发光效率0.1lm/W 二、液相外延法 LPE（Liquid Phase Epitaxy） 高亮度红、橙、黄绿色LED材料生长（显示板、交通灯）发光效率1lm/W 三、金属有机化学气相淀积法 MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition） 超高亮度各种颜色LED材料生长（照明、全彩显示）发光效率大于10lm/W TMGa N2 NH3 SiH4 有机金属 源： MOCVD 系统 尾气收集器 Scrubber 外延片 基片 大气 气态 源： TEGa TMIn TMAl Cp2Mg H2 Aixtron Veeco Thomas Swan 反应腔（Reactor Chamber） 加热系统 石墨盘 参加反应的三/五族气体 反应腔 尾气 Pockets 旋转 原材料的检测技术 H2、N2、NH4、SiH4等高纯气体，纯度要求达到6个9以上，即99.9999%以上 TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、Cp2Mg等金属有机源，纯度要求达到6个9以上，即99.9999%以上（江苏南大光电材料股份有限公司（股票代码：300346）） 基片（蓝宝石、SiC 、Si）对晶体质量、表面光洁度、表面缺陷等也有很高的要求 巧妇难为无米之炊，好的原材料是生长出好产品的必要条件！ 怎么检测？检测非常困难，不检测！相信你的供应商吧！ 生长过程检（监）测技术 1 各种气体的流量变化、调节都由主控计算机按照预设程序完成 2 反应温度（石墨盘）的温度除了利用设备自带的热电偶之外，还可以附加红外热像仪进行实时监测 红外热像仪是被动红外成像。在自然界中一切温度高于绝对零度（－273．16摄氏度）的物体都不断地辐射着红外线。红外热像仪就是利用红外探测器、光学成像物镜接收被测目标的红外辐射信号，经过红外光学系统和红外探测器显示红外热图像。通过探测微小的温度差别，产生的图像是热图像。 生长过程检（监）测技术 3 生长膜厚的在线监测 生长速率、成膜质量等 原理：多光束干涉 P型材料层 发光层 基片 N型材料层 外 延 层 基片厚度：430um 外延层厚度：5~8um 外延片的检测技术 一、表面反射率分析（PR: Photo Reflectivity） 测试外延片表面的粗糙程度 GaN 入射光 反射光 探测器 GaN 入射光 反射光 探测器 光滑表面： 粗糙表面： 反射光 反射光 ≈17% ≈1~10 % 外延片的检测技术 二 光致发光光谱（PL，Photoluminescence) 1. 基本原理光致发光是半导体的一种发光现象，利用光照射到材料表面，其电子吸收光子而跃迁到高能级，出于高能级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级差的能量以光辐射的形式发射出来。这个过程就是光致发光，即PL。 Eg Eg k k E E 直接跃迁 间接跃迁 PL maping 系统 Source Shutter NDF Top Mirror Beam Splitter Objective Lens Sample Grating Filter Detector Source: For 蓝光－UV266nm或32