附光学与电子信息学院学院系.DOC

附3． 光学与电子信息学院 学院（系） 硕士/博士 研究生课程简介 课程名称：集成微电子器件 课程代码：182.603 英文名称：Integrated Microelectronic Devices 课程类型：■高水平课程 □国际化课程 □高水平国际化课程 □一般课程 课程类别：■一级学科基础程 □二级学科基础课程 □专业课程 考核方式：开卷考试 教学方式：讲授 适用层次： 硕士■ 博士□ 开课学期：第一学期 总学时/讲授学时： 40/40 学分：2.5 适用专业：微电子学与固体电子学 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 徐静平 教授 微电子学与固体电子学 57 微电子器件 刘璐 讲师 微电子学与固体电子学 29 半导体存储器 课程教学大纲： MOSFET I：物理效应和模型 MOS结构及其特性 1.2 MOSFET 结构及工作原理 1.3 MOSFET阈值电压 1.4 MOSFET漏源电流模型 基本方程 萨支唐方程 体电荷模型 亚阈电流模型 连续性模型 沟长调制效应 1.5 改进的短沟道MOSFET模型 长沟模型的限制 短沟道效应 迁移率退化 载流子速度饱和 短沟道MOSFET漏源电流 关于MOSFET等比缩小和短沟道模型的讨论 1.6小信号模型 1.7 短沟道MOSFET的特殊效应 多晶硅耗尽 高-k栅介质 栅致漏极漏电（GIDL） 反短沟道效应 反型沟道的量子效应 漏致势垒降低(DIBL)效应 1.8 CMOS设计及工艺简介 CMOS设计考虑 MOSFET参数及其抽取 CMOS闩锁效应 CMOS倒相器制备工艺 MOSFET II：高场效应 2.1 速度饱和区电场 准二维模型 2.2 衬底电流 热载流子效应 衬底电流模型 衬底电流对漏源电流的影响 2.3 栅电流 幸运电子模型 低栅压下载流子注入 p沟MOSFET的栅电流 2.4 器件退化 n-MOSFET退化机理 n-MOSFET退化的表征 器件寿命的加速试验 减小漏极场的器件结构 p-MOSFET的退化 2.5 特殊MOSFET和MOS结构 非挥发性存储器MOSFET SRAM DRAM Flash Memory CCD和CMOS成像器 异质结器件 3.1 异质结基本概念 能带图 3.2 异质结双极晶体管（HBT） 基本结构，工作原理，基本特性，Si/Ge HBT, HBT集成电路 3.3 高电子迁移率晶体管（HEMT） 基本结构和工作原理，基本特性，制造工艺，HEMT的IC技术 各种新型场效应器件 各种新型场效应器件专题 使用教材： 1．N．艾罗拉著，张兴等译，用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型――理论与实践 主要参考书： 1. R. S. Muller and T. I. Kamins, Device Electronics for Integrated Circuits, Third Edition 2. B. G. Streetman, S. Banerjee, Solid 该课程所属基层教学组织（教研室、系）专家小组意见：（该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与本科生课程重复？是否有稳定的课程组和授课教师队伍？） 专家组长 专 家 年 月 日