课件：静电感应晶体管.ppt

五、 其它新型电力电子器件 一、静电感应晶体管（SIT） 它是一种多子导电的单极型器件，具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等优点； 广泛用于高频感应加热设备(例如200kHz、200kW的高频感应加热电源)。并适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机、电视发射机、差转机微波以及空间技术等领域。 4-5 其它新型电力电子器件（SIT） 3）原理：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，SIT导通；当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏源间导电沟道变窄。当UGS=UP(夹断电压)时，导电沟道被耗尽层所夹断，SIT关断。 SIT的漏极电流ID不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制。 第4章 一、SIT的结构及工作原理 1）结构：三层、元胞结构，三个电极：栅极G，漏极D和源极S。 2）分类：N沟道、P沟道两种，箭头向外的为N─SIT，箭头向内的为P─SIT。 4-5其它新型电力电子器（SITH） 二、静电感应晶闸管（SITH） 它自1972年开始研制并生产； 优点：与GTO相比，SITH的通态电阻小、通态压降低、开关速度快、损耗小、 及耐压高等； 应用：应用在直流调速系统，高频加热电源和开关电源等领域； 缺点：SITH制造工艺复杂，成本高； 第1章 4-5 其它新型电力电子器（SITH） 1、SITH的工作原理 1）结构：在SIT的结构基础上再增加一个P+层即形成SITH的元胞结构；三极：阳极A、阴极K、栅极G。 第1章 2）原理： SITH为常开器件：栅极开路，在阳、阴极之间加正向电压，有电流流过SITH； 在栅极G和阴极K之间加负电压，G-K之间PN结反偏，A-K间电流被夹断，SITH关断； 栅极所加的负偏压越高，可关断的阳极电流也越大。 4-5 其它新型电力电子器（SITH） 栅极负压-UGK可控制阳极电流关断，已关断的 SITH，A-K间只有很小的漏电流存在。 SITH 为场控双极器件，其动态特性比GTO优越。其 通态电阻比SIT小、压降低、电流大，但因器件内有大量 的存储电荷， 所以其关断时间比SIT要长、工作频率要低。 2、SITH的特性： 第1 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 三、MOS控制晶闸管MCT（ MOS-Controlled Thyristor) MCT自20世纪80年代末问世，已生产出300A/2000V、1000A/1000V的器件； 结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET。MCT既具有晶闸管良好的导通特性，又具备MOS场效应管输入阻抗高、驱动功率低和开关速度快的优点，克服了晶闸管速度慢、不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的不足。 特点：耐高电压、大电流、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度高； 第4章 在应用方面，美国西屋公司采用MCT开发的10kW高频 串并联谐振DC-DC变流器，功率密度已达到6.1W/cm3。美 国正计划采用MCT组成功率变流设备，建设高达500KV 的高压直流输电HVDC设备。国内的东南大学采用SDB键 合特殊工艺在实验室制成了100mA/100V MCT样品；西 安电力电子技术研究所利用国外进口厚外延硅片也试制 出了9A/300V MCT 样品。 MCT器件的最大可关断电流已达到300A，最高阻断电压为3KV，可关断电流密度为325A/cm2，且已试制出由12个MCT并联组成的模块。 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 第4章 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 1、MCT的工作原理 1）结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET其元胞有两种结构类型，N-MCT和P-MCT。 三个电极：栅极G、阳极A和阴极K。 图1.8.6 P-MCT的结构、等效电路和符号 第4章 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 P-MCT的等效电路 第4章 2）工作原理（P-MCT） 控制信号：用双栅极控制，栅极信号以阳极为基准； 导通：当栅极相对于阳极加负脉冲电压时，ON-FET导通，其漏极电流使NPN晶体管导通。NPN晶体管的导通又使PNP晶体管导通且形成正反馈触发过程，最后导致MCT导通 关断：当栅极相对于阳极施加正脉冲电压时，OFF-FET导通，PNP晶体管基极电流中断, PNP晶体管中电流的中断破坏了使MCT导通的正反馈过程，于是MCT被关断。 4-5 其它