高质量ZnO及BeZnO薄膜的发光性质-发光学报.PDF

第34卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾8 2013年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)08鄄1035鄄05 高质量 ZnO及BeZnO薄膜的发光性质 1 1* 1 1 1 1,2 * 王玉超 ,吴天准 ,苏龙兴 ,张权林 , 陈明明 ,汤子康 (1. 中山大学理工学院光电材料国家重点实验室,广东 广州摇 510275; 2. 香港科技大学 物理系,香港) 摘要:用分子束外延设备插入缓冲层在c 面蓝宝石上生长得到高质量ZnO和BeZnO薄膜。 XRD测试显示 薄膜具有六方结构和c轴取向,并具有良好的晶体质量,其中ZnO薄膜的半高宽仅为108arcsec,Be Zn O薄 x 1-x 膜的半高宽小于600 arcsec。 对 ZnO 和 BeZnO 薄膜的拉曼光谱进行对比研究发现,随着 Be 元素的掺入, A (LO)、A (2LO)声子模频率往大波数方向移动,并且首次发现了与Be元素掺杂有关的局域振动模。 利用 1 1 变温光致发光光谱研究了薄膜的发光性质,结果显示ZnO薄膜室温光致发光只出现一个紫外发发光峰(378 nm),而低温光谱(80 K)则出现了很强的自由激子发光峰。 随着温度的升高,束缚激子发光逐渐湮灭向自由 激子发光转变,并且峰值位置红移。 相对于ZnO薄膜,BeZnO薄膜的紫外发光主峰位置蓝移,并且由于Be元 素的掺入导致薄膜晶体质量下降,在低温(80 K)光致发光光谱中没有出现强的自由激子发光峰。 另外,在低 温光致发光及拉曼光谱中,主峰位置在100~200 K之间有局部最大值,推测为由于合金晶格热膨胀系数失配 而引起的应力效应。 关摇 键摇 词:分子束外延;ZnO;BeZnO;光致发光;拉曼光谱 中图分类号:O484.4 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1035 Luminescence Characteristics of High鄄quality ZnO and BeZnO Films 1 1* 1 WANG Yu鄄chao ,WU Tian鄄zhun ,SU Long鄄xing , 1 1 1,2* ZHANG Quan鄄lin ,CHEN Ming鄄ming ,TANGZi鄄kang (1. Laboratory of OptoelectronicMaterials and Technologies,School of Physics and Engineering, Sun Yat鄄Sen University,Guangzhou510275,China; 2. Department of Physics,Hong Kong University of Science and Technology,Hong Kong