半导体设备工艺简介.ppt

13.激光晶圆划片设备 技术指标： 1.标配4英寸平台; 2.X-Y平台140mm行程，0.1μm分辨率; 3.Z轴调焦平台，1μm分辨率; 4.θ轴旋转精度0.0001°，±7° 工艺特点： 1.三套同轴CCD视觉系统，支持正切、背切和大视野观察晶片; 2.专利的打光技术，使视野更加清晰明了，对于粗化、图形化衬底、背镀 金属层，晶圆的切割颇具优势; 3.切割过程中可动态微调、暂停和重设激光焦点在切割道中位置，无需重 新规划路径，可以有效避免操作错误，提高产品良率。 示例： 14.裂片机 设备简介： 厂商：opto 工作原理： 利用裂片刀的劈裂作用，将wafer沿着切割线裂开 用途： 主要应用于以Sapphire基底的GaN晶圆的划片完成后的裂片工艺 14.裂片机 技术指标： 4英寸以下劈裂 工艺特点： 1.配备影像识别，支持全自动功能，操作更加简单 2.同轴CCD视觉系统，支持视野观察晶片； 示例： 15.激光剥离机 设备简介： 厂商：美国JPSA 型号：IX-200 工作原理： KF准分子激光产生248nm紫外激光,该种波长的光能透过蓝宝石照射到GaN缓冲层上被吸收，导致GaN缓冲层温度瞬间升高至达到分解的条件，生产氮气和镓。 用途： 主要对基于蓝宝石衬底的GaN外延片进行蓝宝石衬底的剥离，能对样品进行紫外激光照射处理等。 15.激光剥离机 技术指标： 1.管芯隔离后2寸wafer，10min可实现剥离; 2.2寸整片剥离需40min 工艺特点： 可实现单颗管芯或者整片剥离 示例： 16.键合机 设备简介： 厂商：台湾聚昌 型号：Tbon 100 工作原理： 真空下，通过加温，加压使两个wafer界面紧密贴合，界面两边的金属经过一定时间的互扩散后形成两个wafer的键合。 用途： 本设备专门用于wafer 键合，可实现两个分离的基片相结合。 16.键合机 技术指标： 1.可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer； 2.键合界面需要金属镀层，如Au、AuSn合金等； 3.wafer界面表面平整、干净，粗糙度小于100nm； 4.键合温度最高450度，压力最高900kg。 工艺特点： 本设备真空度能达到90torr，腔室可充氮气 示例： W cu与GaN wafer 的键合 17.水平减薄机 设备简介： 厂商：韩国NTS.CO.,LTD 型号：NanoSurface GH180P-V 工作原理： 金刚石砂轮盘与工件托盘相对转动，辅以水溶性冷却液，使减薄面达到镜面级。 用途： 可对蓝宝石、硅晶片、GaAs外延片进行背面减薄 17.水平减薄机 技术指标： 1.可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer; 2.一次加工3片2英寸大小的wafer。 工艺特点： 1.采用增量坐标方式，可任意设定减薄原点，操作简单; 2.金刚石砂轮轴最大转速为2400rpm，工件托盘主轴最大转速为500rpm； 金刚石砂轮轴进给距离90mm。 示例： 蓝宝石表面显微镜照片（50倍） 18.单面研磨机 设备简介： 厂商：韩国NTS.CO.,LTD 型号：NanoSurface-460L 工作原理： 研磨盘内存储的微米级研磨液颗粒，在工作盘与铜盘相对运动的过程中，将表面打磨光滑 用途： 可对蓝宝石、硅晶片、GaAs外延片进行背面抛光 18.单面研磨机 技术指标： 1.可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer; 2.一次加工3片2英寸大小的wafer; 3.研磨盘转速：0-350rpm，通常设置为：63-75rpm; 4.减薄速率：0.2-2um/分钟 工艺特点： 1.为了维持研磨盘的平整度，配备了研磨盘表面冷却装置 2.采用无噪音驱动系统，吸收和缓冲研磨抛光时产生的震动，提高产品精度 和平面度。 示例： 细抛后蓝宝石表面显微镜照片（50倍） 19.LED全光功率测试系统 设备简介： 厂商：台湾致茂电子股份有限公司 型号：Chroma58173 工作原理： 利用恒流源或恒压源对有电极的管芯进行测试，并利用CCD等对光新号进行捕捉，得到I-V对应关系，及相应的光功率、波长等。 用途： 可对LED进行测试，得到整个wafer的光电特性及其平面分布二维图，测得管芯的抗ESD性能。 19.LED全光功率测试系统 技术指标： 1.自动化LED wafer/chip点测设备、漏电流测试单元和光学测试模组； 2.