精品课程--电工电子技术资料.pptVIP

4.1.2 杂质半导体 4.1.3 PN结 1. PN结的形成 2 PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 1 、 基本结构 2 .伏安特性 3、 主要参数 二极管电路分析举例 （3） 主要参数 4.2 半导体三极管 4.2.1 三极管基本结构 4. 2. 2 三极管的放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 4.2.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 4.2.4 主要参数 (1) 电流放大系数，? 场效应管与晶体管的比较 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区