模拟电子技术基础幻灯片第3章场效应晶体管和基本放大电路.pptVIP

将产生一定的漏极电流ID 。沟道中各点对栅极电压不再相等，导电沟道宽度不再相等，沿源-漏方向逐渐变窄。 ID随着的UDS增加而线性增大。 P 衬底B N+ N+ S G D 4） UGS UGS(th) ，UDS 0： （2）工作原理 5）UGS UGS(th) , UGD =UGS(th) ： P 衬底B N+ N+ S G D （2）工作原理 随着UDS的增大， UGD减小，当UDS增大到UGD =UGS(th)时 ，导电沟道在漏极一端产生夹断，称为预夹断。 5）UGS UGS(th) , UGD =UGS(th) ： P 衬底B N+ N+ S G D 若UDS继续增大，夹断区延长。漏电流ID几乎不变化，管子进入恒流区。ID几乎仅仅决定于UGS 。此时可以把ID近似看成UGS控制的电流源。 （2）工作原理 恒流区 击穿区 可变电阻区 （3） 特性曲线 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 0 1 2 3 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 夹断区 ID和UGS的近似关系： IDO是UGS = 2UGS(th)时的ID。 UDS =10V 0 1 2 3 2 4 6 U