GB/T 17169-1997硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法.pdf

GBIT17169一1997 、 ‘ 前 口 目前尚无检索到镜面状半导体晶片表面缺陷光反射无损检验的国际标准或国外先进标准。 本标准利用近代激光技术、先进的光学接收装置，经过信息处理系统，可快速、无损完成对镜面状试 样表面状态分析，试样表面缺陷的图像可直观地在屏幕上显示出来。本标准检验显示出的缺陷图像已编 成图谱。 本标准可实现对半导体硅抛光片、外延片表面直观、灵敏、快速、无损检验。 本标准是光电子技术与微电子技术相结合应用于表面质量检验的研究所取得的重要成果。 本标准于1998年8月 1日起实施。 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。 本标准由南开大学、天津市半导体材料厂负责起草。 本标准主要起草人：李增发、王宏杰、张福祯、颜彩蔡、张光寅、邓江东。 本标准于 1997年 12月 22日首次发布。 中华人 民共和 国国家标准 硅抛光片和外延片 GB/T 17169一1997 表面质量光反射测试方法 Testmethodforthesurfacequalityofpolished siliconwafersandepitaxialwafersbyoptical-reflection 范围 本标准规定了半导体硅抛光片和外延片表面常见缺陷的光反射无损检验方法。 本标准适用于半导体硅抛光片和外延片表面质量的无损检验。 本标准的检验结果与GB/T6624,GB/T14142的检验结果一致。 2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均 为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T14142-93 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T14262-93 半导体材料术语 3 方法原理 用激光作光源，利用激光的相干性和空间滤波的方法，形成波面高度均匀的发散光束，照射试样表 面。由于试样表面存在各种不均匀性，反射光束的波面将发生畸变，畸变波面空间折叠，相干成像，形成 与各种缺陷对应的图像。用一定的接收装置 C（CD或摄像机）接收、记录反射图像，经过计算机信息处理 系统，可完成试样表面的状态分析、储存。图像通过监视器，可直观地在屏幕上显示出来。由此可对试样 表面缺陷进行快速、无损检测。测量方法示意图如图1所示。 国家技术监督局1997一12一22批准 1998一08一01实施 GB/T17169一1997 A-He-Ne激光器； B-滤波器； C,D一反光镜；E一屏； F一试样；G一试样台；H-CCD;K一计算机 图 1 测量方法示意图 4 仪器与装置 4.1 仪器性能 4.1.1分辨率为0.51cmo 4.1.2 光源为He-Ne激光器，功率为3mW, 4.1.3 电源为交流220V,100Wo 4.1.4 净化台：其大小应能容纳检测仪，净化级别为100级。 5 试验样品 5.1 试样表面应呈镜面，最大直径为 150mm, 5.2 对试样的电阻率、导电类型无特殊要求。 6 检验步骤 6.1 接通测试仪电源，开启激光器。 6.2 打开计算机及监视器开关，调节亮度旋钮，使屏幕显示暗背景。 6.3 设定试样边缘定位点，由定位点与试样中心确定X-Y坐标。 6.4 抽出样品台，用真空吸笔吸住试样背面，将其放人样品台内。轻轻推回样品台，并关好样品台的封 门。 6.5 当试样被推进样品室时，屏幕上显示出被测试样表面缺陷的图像。 6.6 由X-Y坐标测出试样缺陷的位置和尺寸，通过计算机处理打印出试样的测试结果。 了缺陷图像特征 硅抛光