极紫外投影光刻掩模若干问题研究-光学专业论文.docxVIP

长春光学精密机械与物理研究所12005极紫外投影光刻掩模技术 长春光学精密机械与物理研究所12005 极紫外投影光刻掩模技术 杨雄 指导教师：曾建林金春水 捅安 极紫外投影光刻(EUVL)是极具竞争力的新一代光刻技术，工作于13．0nm波 长，理论上适用于65～30nm的数代集成电路制造。工业部门的专家普遍认为， EUVL系统最困大的挑战与风险之一在于掩模技术。EUVL掩模采用反射式，与 传统的光刻掩模有许多不同之处。由于工作于极紫外波段，加之光刻的临界线宽 仅有几十纳米，因此掩模基底的面形、表面粗糙度、缺陷级别以及掩模白板的多 层膜等都必须达到极高的标准。 通过对极紫外多层膜反射特性的分析，得到了峰值反射率、带宽和中心波长 分别随粗糙度、周期厚度以及比值变化的函数关系。然后分析了由掩模引入的照 明误差，得出了误差合成公式。在此基础上，根据允许掩模引入的总照明误差， 给出了多层膜的峰值反射率、带宽和中心波长等三个参量必须达到的要求。该要 求与ITRS关于EUVL掩模工业技术路线中的标准十分接近。 研究了被溅射原子的空间分布。根据基本的余弦分布规律，建立了模拟离子 束溅射镀膜系统的仿真模型。通过在离子束溅射镀膜系统上的实验研究并用仿真 模型进行回归分析，给出了准确的余弦分布函数指数，最终建立能够定量计算的 仿真模型。以仿真结果为指导，调整了溅射靶材的位置，在0140mm范围内将 非均匀性从5．7％提高到4．5％。最后给出了镀膜系统的关键设计参数， 此镀膜 系统能够满足ITRS关于膜厚均匀性的要求。 在Si片表面制备了平均直径230nm的随机单分散Si02球，用以模拟掩模基 底的缺陷。在缺陷表面沉积Mo／Si多层膜，研究了多层膜对缺陷的平滑效果。实 验结果表明，虽然多层膜对缺陷具有一定的平滑作用，但不能完全满足掩模白板 的生产要求，必须在多层膜沉积过程中辅助以离子束抛光。此外，简要讨论了一 些缺陷检测技术的原理和可行性。 关键词：极紫外投影光刻：掩模：多层膜；照明误差：缺陷 Investigation Investigation on Extreme Ultraviolet Lithography Mask Yang Xiong Directed by：Cao Jian—tin，Jin Chun—shui Abstract Extreme Ultraviolet Lithography fEUVL)is a leading candidate for next generation lithography technology，with wavelengths of 1 3．0nm．and is expected to support multiple technology generation from 65nm to 30rim．Experts from industry consider that mask technology is one of the most difficult challenges for EUVL． Masks for EUVL used in reflection．are fundamentally difierent from conventional masks which are applied in optical lithography．Because the exposure wavelength is in EUV region and the critical dimension fCD)iS on the order of several tens nanometer,the flatness，roughness and defects of the mask substrate and the multilayers on blank must meet the rigorous expectations． By analyzing refective properties of multilayers，the peak reflectivity,bandwidth and centroid wavelength as a function of roughness．period thickness and thickness ratio were obtained．Illumination uniformity errors at wafer plane due to the mask were analyzed．resulted a formula for estimating the error．According to totaI illumination unif