模电-幻灯片第3章-半导体三极管及放大电路基础1.pptVIP

第3章 半导体三极管及放大电路基础;本章主要内容;本章基本教学要求;本章重点内容;3.1 半导体三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 3.1.2 半导体三极管的电流分配与放大作用 3.1.3 半导体三极管的特性曲线 3.1.4 半导体三极管的主要参数 3.1.5 半导体三极管的型号;3.1.1 半导体三极管的结构;;3.1.2 半导体三极管的电流分配与放大作用;;2.半导体三极管的电流分配关系;(2) 三极管的电流放大系数;因 ≈1, 所以 ? 1;3.1.3 半导体三极管的特性曲线;图3.3 共发射极接法的电压-电流关系;iB=f(vBE)? vCE=const;其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：①死区 ②非线性区 ③线性区 ; (2)输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const; 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图3.5 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。 （动画3-2） ;输出特性曲线可以分为三个区域:;3.1.4 半导体三极管的参数;;② 共基极直流电流放大系数;; 集电极发射极间反向饱和电流 ICEO;2 交流参数 （1）交流电流放大系数 ①.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const; ②.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。;(3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 如图3.7所示，当集电极电流增加时，? 就 要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于?值下降 多少，不同型号的三 极管，不同的厂家的 规定有所差别。可见， 当IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。 图3.7 ? 值与IC的关系;②集电极最大允许功率损耗PCM; ③反向击穿电压;1.V(BR) CBO——发 射 极开路时集电结的击穿电压。;; 3.1.5 半导体三极管的型号; 表3.1 双极型三极管的参数;温度对三极管的影响;3.2 共发射极放大电路;基本组成如下： 三 极 管T—— 负载电阻Rc 、RL—— 偏置电路VBB 、Rb—— 耦合电容C1 、C2——; 2. 放大原理; 图 3.2.2 共发射级放大电路的简化 ;PNP管用负电源供电;3.3 图解分析法;1. 静态和动态; 直流通道 交流通道 直流电源和耦合电容对交流相当于短路; （1） 近似估算Q点;共射极放大电路;1.把电路分成非线性和线性部分2.作出电路非线性部分的V-A特性即三极管输出特性曲线。 3. 由电路线性部分的V-A特性即直流负载线: UCE=VCC－ICRc 在输出特性曲线上确定两个特殊点,即可画出直流负载线。 4. 得到Q点的参数IBQ、ICQ和UCEQ。;3.3.2 动态情况分析;1. 交流负载线;2. 交流工作状态的图解分析;(1) 波形的失真;(2) 放大电路的最大不失真输出幅度; 4. 非线性失真;4. 图解分析法的适用范围;1. BJT的H参数及小???号模型;3.4 微变等效电路分析法;3.4.1 模型的建立;3.4.3 h参数; 图3.4.2 h11和h12的意义;3.4.4 h参数微变等效电路简化模型;3.4.2 模型中的主要参数;3. 小信号模型分析法的适用范围;3.4.5 用微变等效电路法分析共射放大电路 共射放大电路如图（a)所示，分析步骤如下:;2.求电压放大倍数Au;3.求输入电阻Ri和输出电阻Ro （1）求输入电阻Ri;（2）求输出电阻Ro