薄膜的表面界面界定和尺寸效应作用.ppt

（2）薄膜的界面 界面两边物质的成份或者结构不同，界面处的原子排列情况和电子结构也不同于体内。显然，薄膜界面的结构往往对薄膜本身的结构有显著的影响。并且，界面通常是杂质、缺陷的富集区。 薄膜的界面是通过材料接触形成的。在界面处存在着两个材料（同质或异质材料）之间的原子交换，即相互之间的扩散。这种扩散改变着相互间的结构和性质。 12.3.1 表面态和表面空间电荷层 ① 表面原子结构 12.3 薄膜的表面和界面 ② 表面态 ③表面空间电荷层 12.3.2 表面势垒 12.3.3 界面结构和界面特性、电接触 ① 界面结构 ②界面特性 ③ 电接触 12.3.1 表面态和表面空间电荷层 ① 表面原子结构 未被污染的清洁表面 在表面上存在台阶， 垂直表面方向（Z轴方向）上产生表面弛豫 在平行表面方向上发生重构 不清洁的表面 表面吸附单层的有序排列 生成表面化合物 表面偏析 图12.5 几种表面结构的示意图 在薄膜晶体的表面，晶格电子的势能在垂直表面方向上也不再存在平移对称性，这样电子波函数沿着垂直表面方向作指数衰减，处于这种状态的电子将定域在表面层中，称为表面态 ② 表面态 图12.6 硅的共价键示意图 表面态的产生原因，除了晶格在表面的突然终止外，还有表面结构的缺陷和杂质，以及表面吸附外来原子等。 清洁表面的电子态称为本征表面态； 表面吸附外来原子或表面的不完整性（缺陷、台阶、杂质）都会产生表面态，称为非本征表面态，如吸附表面态。 由于表面态的存在，电子在体内态和表面态之间的转移，通常会在表面产生一层表面电荷，它们将产生一个垂直表面的电场。为了屏蔽这个电场，在半导体或电介质的表面形成一个相当宽度的空间电荷层。在空间电荷区中能带发生弯曲，以适应体内态和表面态之间有足够的载流子转移来屏蔽表面电场 ③表面空间电荷层 图12.7 半导体近表面的能带图 当薄膜为n型半导体时，nbpb， （1）积累层，nsnb，意味着电子被聚集在空间电荷层。 （2）中性层，ns=nb，净过剩电荷为零，能带不发生弯曲。 （3）耗尽层，nsnb，ps≤nb，意味着电子将从空间电荷层流走，形成电子耗尽层。 （4）反型层。psnb，意味意n型半导体的空间电荷层转为p型层，即反型层。 nb和pb分别为薄膜内部的电子和空穴浓度 ns和ps分别为薄膜表面的电子和空穴浓度， 12.3.2 表面势垒 图12.8金属近表面的势能图 金属的表面势垒，由三个部分组成： （2）表面电偶极层的作用 （3）导带底（Ec）以下，电子受原子核束缚 12.3.2 表面势垒 （1）正负电荷的吸引力，即镜像力的作用 3.3.1 界面结构 （1）弱作用体系，即金属物理吸附在半导体上 （2）金属——半导体相互扩散体系，即金属掺杂进 入半导体中，或半导体的元素扩散进入金属膜中 （3）金属与半导体强作用体系，在界面上产生新的化合物 12.3.3 界面结构和界面特性、电接触 3.3.2 界面特性 界面特性表征了薄膜与基片之间的相互作用，它决定于薄膜与基片之间的结构 界面区的结构与原子之间的键合情况有密切关系。 由于界面的结构和成分的不同，显著地影响界面特性。 （1）逸出功与电子亲和势 ③ 电接触 EA=E0—Ec 逸出功 电子亲和势 E0——真空能级 Ec——导带底能量值 图12.9金属与n型半导体接触前后的能带图。 (a)接触前；(b)接触后 ①金属与n型半导体接触 ②金属与P型半导体接触 （2）金属与半导体的接触 整流接触 欧姆接触 欧姆接触 整流接触 （3）金属与介质接触 ①离子电导情形 欧姆接触是电极能向介质注入不属于介质本身的过剩载流子。 中性接触是电极能向介质不断地供给介质本身所具有的某种载流子，以保证通过介质有恒定的电流。 阻挡接触是阻碍载流子通过接触界面，或者阻碍从介质移向电极的载流子在接触界面处放电 ②电子电导情形 电子电导的欧姆接触，EφmEφi 电子电导的中性接触。Eφm=Eφi 电子电导的阻挡接触，EφmEφi 12.4 薄膜的尺寸效应 12.4.1 尺寸效应 ① 由于表面能的影响使熔点降低； ② 干涉效应引起光的选择性透射和反射； ③ 表面上由于电子的非弹性散射使电导率发生变 化； ④ 平面磁各向异性的产生； ⑤ 表面能级的产生；电子结构发生变化； ⑥ 由于量子尺寸效应引起输运现象的变化； ⑦ 由于薄膜的表面与内部的差别引起铁电相变居里温度发生变化； ⑧ 由于退极化场的影响，使铁电