新材料的研究与开发 (2).pptVIP

新材料的研究与开发 1. 信息功能材料 半导体材料 光电子材料 2. 能源功能材料 超导材料 磁性材料 贮能材料 燃料电池 3. 纳米材料科学技术 本节教学目的和要求 1. 了解信息材料、能源功能材料和纳米材料技术的开发过程。 2. 重点把握超导材料和纳米材料的产生及其在人类技术史上的重大意义。 但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在，并将有所发展。 * 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。 * 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片 (System on a Chip)。 * 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE，MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。 表1 集成电路发展对材料质量的要求 (2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAs 电子迁移率是Si的6倍（高速），禁带宽（高温）广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、耐高温、抗辐射器件。 GaAs用于集成电路其处理