半导体雷射模拟软体Lastip 简介课件.pptVIP

I-V圖~2 scan var=current_1 再由電流看電壓 因為此時電壓變化小，如果電流變化太快會收斂困難 value_to=300 print_step=10 每10格儲存一次 init_step=0.01 min_step=1e-4 這部分和掃描電壓原理相同 max_step=10 不能超過print_step 精品文档 參數表 Parameter d (?m) Ndop(1/m3) y (?m) n@400 nm ? (W/m/K) GaN (contact) 0.03 p-2?1025 4.29 2.54 130 Al0.07Ga0.93N (cladding) 0.5 p-3?1024 4.26 2.48 20 GaN (waveguide) 0.1 p-7?1023 3.76 2.54 130 Al0.2Ga0.8N (stopper) 0.02 p-7?1023 3.66 2.23 80 In0.02Ga0.98N (barrier) 0.01 i 3.64 2.61 20 In0.15Ga0.85N (well) 0.005 i 3.63 3 20 In0.02Ga0.98N (barrier) 0.01 i 3.625 2.61 20 In0.15Ga0.85N (well) 0.005 i 3.615 3 20 In0.02Ga0.98N (barrier) 0.01 i 3.61 2.61 20 GaN (waveguide) 0.1 n-7?1023 3.6 2.54 130 Al0.07Ga0.93N (cladding) 0.5 n-3?1024 3.5 2.48 20 GaN (substrate) 3 n-3?1024 3 2.54 130 精品文档 參數-對應方程式[3] 方程式 =參數 泊松(Poisson)方程式=V, n, p 連續方程式 = V, n, p, S, W, g 光子速率方程式 = n, p, S, W, g 複數波動方程式 = n, p, W, lambda, g 光增益模型 = n, p, lambda, g V表電位、 n與p表電子與電洞濃度、 S表光子數目、W表光場強度、 lambda表波長、 g表增益 精品文档 參數-泊松方程式[4] ?2V = ?ρ /ε ，ρ 為自由電荷的體電荷密度，ε 為介質的介電常數。若將此方程式改用在半導體材料時，此方程式就必須改寫成下式來描述每個磊晶層的電位分佈： 精品文档 參數-泊松方程式 （a）?V 為電場。 （b）εdc 為相對介電常數。 （c）n、p 為電子與電洞濃度。 （d）ND(NA)為淺層donor(acceptor)摻雜的密度，fD(fA)為介面中donor(acceptor)淺層能階的佔有率。（此項會造成介面結合的電子濃度產生影響，NAfA 前面的負號為接收電子濃度產生） （e）δj 為delta function 當作acceptor 時其值為0 當作donor 時其值為1，Ntj 為介面中第j 個深層能階的密度，ftj 為第j 個深層能階的佔有率。(此項和前兩項比較下其意義為相似) 精品文档 參數-電荷連續方程式 ?J + ?ρ/ ? t = 0 ；此為電荷連續方程式，又因為各磊晶層的電荷守恆，所以我們可以將此連續方程改寫成下式： 精品文档 參數-電荷連續方程式 （a）電子的電流密度Jn = n×μn×?Efn（其中μn 為電子的mobility，Efn 為電子的Fermi-level），而電洞的電流密度Jp = n×μp×?Efp 。 （b）Rntj 為通過邊界上第j 個能階時，每單位體積的電子結合律，而Rptj 為通過邊界上第j 個能階時，每單位體積的電洞結合律。(SRH) （c）Rsp 為自發輻射率，Rst 為受激放射率。 （d）Rau=(Cnn+Cpp)(np-ni2)；Cn 和Cp 均為常數取決於材料本身，ni 指純質的載子密度。(Auger recombination rate) 精品文档 參數-光子速率方程式 精品文档 參數-光子速率方程式 （a） W 為光子的波函數|W|2 為每單位體積找到光子的機率。 （b） k0 為波向量，ε為介電常數，β為real eigenvalue 實數本徵值。 （c） ng 為材料的折射率，gm 為增益模式(model gain)，αint 為初始的損失(loss)，αem 為發射光子產生的損失，S 為光子數。 （d） Cm 為小部份自發輻射的常數。 精品文档 參數-光增益模型 （a）τ為intra-band 的散射時間 （b