一维锑基合金纳米线阵列的制备与物性分析.pdfVIP

一维锑基合金纳米线阵列的制备与物性研究 摘要 近年来，准一维纳米结构材料成为了纳米科技领域的前沿和热点，吸引了 广泛的关注。这是因为一维纳米材料是研究电子传输、光学和力学等物性的尺 寸和维度效应的理想系统，且在介观领域和纳米器件制造方面具有重要的应用 前景。本文主要采用电化学沉积技术，同时结合了阳极氧化铝模板（AAM ）， 合成了准一维纳米线阵列。主要研究了Ni Sb 、InSb 、AgSbTe 合金纳米线阵列 5 2 2 的可控制备和物性表征；研究了如何获得宏观有序、尺寸和结构可控的纳米线 阵列材料；探索了准一维纳米材料的电化学及光学性能。论文内容和创新点主 要包括以下几个方面： 1、高度有序AAM 的制备 通过分析影响AAM有序度、孔径和厚度的因素，确定了制备模板的最佳工 艺参数：在0.3 mol/L硫酸溶液中，氧化电压为25 V ，温度为5 ℃，氧化时间为 10小时；在0.3 mol/L草酸溶液中，氧化电压为40 V ，温度为5 ℃，氧化时间为 16小时。 2 、Ni Sb 纳米线阵列的制备与电化学性能 5 2 利用直流电沉积技术在AAM 中制备出沿[022]方向择优生长的Ni Sb 纳米线 5 2 阵列。测试和分析了Ni Sb 纳米线阵列的充放电性能。 5 2 3 、InSb纳米线的取向控制及光学性能 利用脉冲电沉积技术在AAM 中制备出生长取向分别垂直于(220) 和(400) 晶 面的InSb纳米线阵列。测试和分析了InSb纳米线的拉曼光谱和红外吸收光谱特 性。 4 、单晶AgSbTe 纳米线阵列的制备和光学性能 2 首次利用直流电沉积技术在AAM 中制备出生长取向垂直于(200) 晶面的 AgSbTe 纳米线阵列，并申报了发明专利。测试和分析了AgSbTe 纳米线的拉曼 2 2 光谱和近红外吸收光谱。 关键词：阳极氧化铝模板，Ni Sb 纳米线阵列，InSb 纳米线阵列，AgSbTe 纳米 5 2 2 线阵列，充放电性能，拉曼光谱，吸收光谱 Fabrication and Physical Properties of 1D Sb-based Alloy Nanowires Array ABSTRACT In recent years, the quasi one-dimensional (1D) nanostructure materials have become the forefront and hot spot of nanotechnology field, attracting wide attenti on. Because the one-dimensional nanomaterials are not only the ideal systems for the study of the size and dimensional effects of the physical properties , such as electron transfer, optical, and dynamics etc., but also have great applic