一维半导体纳米结构可控制备与其光电探测器的分析.pdfVIP

一维半导体纳米结构可控制备及其光电探测器的研究 中文摘要 中文摘要 一维半导体纳米线具有独特的光电特性、柔性和易于集成等特点，因此吸引 了科学家们广泛的关注。然而，制备出基于一维纳米线的高性能光电探测器仍然 面临着许多困难。本文利用气相沉积法制备了高质量的单晶纳米线，并且制备出 了基于有机纳米线阵列或无机核/壳纳米线的高性能光电探测器。主要研究结果如 下： 一、首先用金纳米颗粒在Si 衬底上修饰不同的纳米金图案，然后在此衬底上制 备出了高密度、大面积、均匀且交叉站立的图案化PTCDA 纳米线。以沉积有电 极对图案的Si/SiO2 为衬底实现了纳米线在电极上的选择性生长，其中纳米线在器 件沟道上方交叉接触。这种一步法构筑的基于 PTCDA 纳米线的光电探测器具有 很好的器件性能如很高的灵敏度、很快的响应速度以及在400~800 nm 的宽光带 区都有响应特性等。有机 PTCDA 纳米线阵列在光电探测器上的成功应用揭示了 有机纳米线在小型化、柔性化和集成化的光电探测器上具有很大的应用前景。 二、基于气相-液相- 固相机制，以金颗粒作为催化剂在管式炉里成功的制备 出了高密度的Ge 纳米线。通过原子层气相沉积（ALD ）技术在Ge 纳米线表面上 直接沉积一层 CdS 薄膜壳层制备出了 Ge/CdS 核/壳纳米线。经过光刻技术去除 Ge/CdS 核/壳纳米线表面的部分CdS 薄膜壳层以及经过电极沉积后制备出了基于 Ge/CdS 核/壳纳米线异质结型的光电探测器。在0 V 以及-5 V 的偏压下，Ge/CdS 核/壳纳米线异质结光电探测器具有较高的开关比、很快的响应速度以及在可见- 近红外的光电响应性能。基于Ge/CdS 核/壳纳米线异质结光电探测器的优异性能， 预示着核/ 壳纳米线异质结在快速响应和高响应度的光电探测器上有着巨大的应 用潜力。 关键词：PTCDA 纳米线，图案化生长，Ge/CdS 核/壳纳米线，光电探测器 作 者：潘欢欢 指导老师：揭建胜 I 英文摘要 一维半导体纳米结构可控制备及其光电探测器的研究 Controllable growth of one dimensional semiconductor nanostructures and their applications in photodetectors Abstract One dimensional semiconductor nanowires (NWs) have attracted much attention due to their unique optoelectronic property, flexibility and the ability of high- level integration. However, fabricating high-performance devices based on semiconductor NWs remains a challenge. Herein, we have fabricated single-crystal NWs with high quality by utilizing vapor phase deposition system. Also, photodetectors based on organic NW arrays or inorganic core/shell NW gained high photoresponse properties. (1) We