半导体薄膜技术与物理.ppt

* 若两种反应物处在同一能量状态，则Ti、Zn和O2的反应活化能Ea大约分别为0.2eV和0.17eV，但常温基板表面的氧分子完全处于钝化态（可能有百分之几的离子氧），因此，膜料粒子最小的反应能阈值至少增加一倍，即Ti、Zn与O2反应至少要有0.4和0.34eV的能量。 设溅射原子的平均动能为15eV，由式(2-1)和(2-2)，则大约有98%的溅射Ti原子和Zn原子能量大于Ea，而蒸发Ti原子和Zn原子分别只有10%和0.5%左右。 举例来说，Ti和Zn与氧反应，反应方程式是 * 若用平均动能代替温度T，则 参加反应的高能粒子越多，反应速度越快 反应速度与活化能Ea的关系为 ?是反应速度常数 R是气体常数 C是有效碰撞的频率因子 ，故溅射的反应速度要比热蒸发快得多 * 2.3 溅射（Sputtering） 2.3.1 溅射的基本原理 荷能粒子轰击固体表面（靶材），固体原子或分子获得入射粒子的部分能量，而从固体表面射出的现象称为溅射 荷能粒子：离子 （易于在电磁场中加速或偏转） 伴随着离子轰击固体表面的各种现象（右图）： 1）大部分中性粒子（成膜） 2）二次电子（辉光放电） 3）少部分二次离子 4）气体解吸、加热等其他现象 95%的离子能量作为热量损耗掉 5%的能量传递给二次发射的粒子 溅射的中性粒子：二次电子：二次离子=100：10：1 * 直流辉光放电过程的形成 VB： 击穿电压 * 溅射区域：均匀稳定的“异常辉光放电” 当离子轰击覆盖整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提高放电区的电压和电流密度，溅射电压U，电流密度j和气压P遵守以下关系： 气体辉光放电 E和F取决于电极材料，是几何尺寸和气体成分的常数 * 弧光放电区： U↑→阴极强电场↑→暗区收缩↓ dc：暗区厚度 A、B为常数 j0.1A/cm2, U↓→j↑（弧光放电） 气压P太低，两极间距太小： 没有足够的气体分子被碰撞产生离子和二次电子，辉光放电熄灭 气压P太高： 二次电子因多次被碰撞而得不到加速，也不能产生辉光放电 * 溅射过程的机理解释： （1）离子轰击局部瞬时加热而蒸发 （因与实验观察不符而被否定） （2）动量理论(级联碰撞理论) 离子撞击在靶上，把一部分动量传递给靶原子，如果原子获得的动能大于升华热，那么它就脱离点阵而射出。 （研究溅射的基础） * 2.3.2 溅射阈和溅射率 溅射阈： 入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量 溅射阈与离子质量之间并无明显的依赖关系 主要取决于靶材料 周期中随着原子序数增加而减小 对大多数金属来说： 溅射阈为10-40eV，约为4-5倍升华热 * 一些金属的溅射阈（eV） * 溅射率（又称溅射产额）：正离子撞击阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数 影响因素：入射粒子的类型（离化气体）、能量、角度、靶材的类型、晶格结构、表面状态、升华热等 单晶材料的溅射率还与表面晶向有关，在最密排方向上的溅射率最高 E：入射粒子能量 E0：升华热（eV） mI：入射粒子质量 mA：靶材原子的质量 r：~mA/mI函数 4mImA/(mI+mA)2称为传递系数，表示入射离子和靶原子质量对动量传递的贡献 当mI=mA时，传递系数为1，入射能量全部传递给靶原子 * 溅射率与入射离子能量的关系 溅射率与离子入射角的典型关系 溅射率与入射离子的能量成正比，还与入射离子的入射角有关 150eV：平方关系 150~1000eV：正比关系 103~104eV：趋于饱和 104eV：下降（注入增加） 0~60o：单调增加 70~80o：最大 90o：0 * 溅射率与靶材原子序数的关系 同周期元素：溅射率随原子序数增大而增加 Ag、 Au、Cu溅射率大；C、Si、Ti等的溅射率较小 * Xe+轰击靶材时溅射率与温度的关系 温度低时：几乎不变化 超过一定温度时：急剧增加（高温，靶原子本身热动能大） * 溅射合金和化合物时，溅射率一般不能直接从组成金属的溅射率值来确定，存在较大的差异性。 * 2.3.3 溅射粒子的速度和能量 溅射Cu原子速度分布图 He+：平均速度?=4?105 cm/s 平均能量 E=1/2m?2=4.5 eV Ar+：平均速度?=3~6?105 cm/s 平均能量 E=30~40 eV 轻金属元素10eV左右，重金属元素U，E=44eV * （1）溅射速率： N：单位时间碰撞在单位靶面