半导体物理-常见半导体的能带结构.ppt

半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 宽禁带半导体材料 一般把禁带宽度等于或大于2.3eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。 宽禁带半导体材料主要包括SiC、金刚石、II族氧化物（ZnO、MgO等）、III族氮化物（GaN、AlN、InN等）、II族硫化物（ZnS、CdS等）、II族硒化物（ZnSe等）以及这些材料的合金（AlGaN、InGaN等）。 半导体物理 Semiconductor Physics 宽禁带半导体禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高，适合制作高频、高功率、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件，利用其禁带宽度的特点，还可以制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件。 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics SiC在不同的物理化学环境下，能够形成两种或两种以上的成分相同，形态、构造和物理性质有差异的同质多象变体。目前已经发现SiC的多象变体约200多种，其中主要有3C、2H、4H、6H、8H、9R、10H、14H、15R等。 SiC 半导体物理 Semiconductor Physics GaN、AlN 半导体物理 Semiconductor Physics 谢谢！ 常见半导体的能带结构 本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写 半导体物理 Semiconductor Physics 硅和锗的导带结构 硅导带极小值在k空间100方向，能谷（通常把导带极小值附近的能带形象地称为能谷）中心与Γ点（k=0）的距离约为Γ点与X点（100方向布里渊区边界）之间距离的5/6。共有六个等价的能谷。通常把这些能谷称为卫星能谷。 半导体物理 Semiconductor Physics 硅的导带结构 对于具有六个等价能谷且等能面为旋转椭球面的硅导带结构，当进行回旋共振实验时，磁场的方向不同，观察到的吸收峰数量也不同，即 值的数量不同。 半导体物理 Semiconductor Physics 若B沿[1 1 1]方向，则与上述六个100方向的方向余弦相等： 对于每个旋转椭球来讲: 半导体物理 Semiconductor Physics 大小相等，对应的回旋频率大小相同，因此只有一个吸收峰 对于[1 0 0] 轴上的两个椭球来讲，其 半导体物理 Semiconductor Physics 若B沿[1 0 0]方向，则： 半导体物理 Semiconductor Physics 若B沿[1 0 0]方向，则： 对于[0 1 0]轴上的两个椭球与[0 0 1]轴上的两个椭球来讲，其横轴对应的方向余弦α或β其中之一等于1，其余等于零。 两个有效质量值，对应两个共振频率，有两个吸收峰！ 同理可知，磁场沿[110]晶轴方向，也能观察到两个吸收峰 当磁场对晶轴任意取向，三个晶轴上的椭球结不等效时，可以观察到三个吸收峰 半导体物理 Semiconductor Physics 锗的导带极小值则在111方向的简约布里渊区边界上（L点），共有八个等价点。但每一点在简约布里渊区内只有半个能谷，合起来共有四个等价谷。 半导体物理 Semiconductor Physics 锗的导带结构 锗和硅导带能谷的共同特点是沿等能面椭球旋转轴的方向的有效质量ml大于横向有效质量mt,它们分别为 ml/m0 mt/m0 Ge 1.64 0.082 Si 0.98 0.19 半导体物理 Semiconductor Physics 在锗中，导带除了在111方向的能谷以外，在k=0和100方向还有较高的能谷。其中k=0的能谷只比111能谷高0.13eV，100谷则比Γ能谷高0.18eV。在较高的温度下k=0和100谷都可有一定的电子分布。 半导体物理 Semiconductor Physics 在Si中，其它能谷比100谷高的多 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 硅和锗的价带结构 硅锗的价带结构是比