第一章--半导体中的电子状态.pptVIP

直接带隙半导体材料：导带最小值(导带底)和满带最大值相应于相同的波矢k0 间接带隙半导体材料：导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置 Si, Ge: 间接带隙半导体 GaAs：直接带隙半导体 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 绝对温度为零时 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 热激发后 两种情况下的能带图 如何理解空穴导电？ 设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J，则 J＝价带（k状态空出）电子总电流 设想以一个电子填充到空的k状态， k状态电子电流＝（-q）v（k） v(k): k状态电子的运动速度 填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零，即 J＋（-q）v（k）＝0 J＝（＋q）v（k） 这就是说，当价带k状态空出时，价带电子的总电流，就如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流。 引入空穴的意义 把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。 半导体中有电子和空穴两种载流子，而金属中只有电子一种载流子 （1）空穴具有正的有效质量 （2）空穴具有正电荷+q，价带导电I=(+q)v(ke) （3）空穴的速度与导带电子方向相反。 （4） 价带中缺少一个电子，就失 去了这个电子能量