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光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其实物图、图符号及伏安特性如图所示： 当反向电压加到某一数值时，反向电流剧增，管子进入反向击穿区。图中UZ稳压管的稳定电压值。 特殊二极管 1. 稳压管 稳压管实物图 由图可见，稳压管特性和普通二极管类似，但其反向击穿是可逆的，不会发生“热击穿”，而且其反向击穿后的特性曲线比较陡直，即反向电压基本不随反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。 稳压管图符号 稳压管的稳压作用：电流增量ΔI 很大，只会引起很小的电压变化ΔU。曲线愈陡，动态电阻rz=ΔU/ΔI愈小，稳压管的稳压性能愈好。一般地说，UZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小，低于这个电压时，rz随齐纳电压的下降迅速增加，使低压稳压管的稳压性能变差。 稳压管的稳定电压UZ，低的为3V，高的可达300V，稳压二极管在工作时的正向压降约为0.6V。 I/mA 40 30 20 10 -5 -10 -15 -20 （μA） 正向 0 0.4 0.8 －12 －8 －4 反向 ΔUZ ΔIZ U/V 第3页 跳转到第一页 第二篇 电子技术 第8章 晶体二极管及整流电路 第9章 晶体管放大电路 第10章 运算放大电路 第11章 晶闸管 第12章 门电路与组合逻辑电路 第13章 触发器和时序逻辑电路 第14章 数/模和模/数转换器 第一篇 8.1 半导体的基本知识 8.3 整流电路 8.4 滤波电路 8.5 稳压电路 8.2 半导体二极管 第1页 第8章 晶体二极管及其整流电路 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导体器件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。 8.1 半导体的基本知识 第3页 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等） 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 由此可以看出：半导体不仅仅是电导率与导体有所不同，而且具备上述特有的性能，正是利用这些特性，使今天的半导体器件取得了举世瞩目的发展。 2. 本征半导体与杂质半导体 （1）天然的硅和锗提纯后形成单晶体，称为本征半导体 一般情况下，本征半导体中的载流子浓度很小，其导电能力较弱，且受温度影响很大，不稳定，因此其用途还是很有限的。 硅和锗的简化原子模型。 这是硅和锗构成的共价键结构示意图 晶体结构中的共价键具有很强的结合力，在热力学零度和没有外界能量激发时，价电子没有能力挣脱共价键束缚，这时晶体中几乎没有自由电子，因此不能导电 第3页 当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响时，某些共价键中的价电子因热激发而获得足够的能量，因而能脱离共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴” 。 空穴 自由电子 本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发。 显然在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。 共价键中失去电子出现空穴时，相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键填补到这个空穴中来，使该价电子原来所在的共价键中又出现一个空穴，这个空穴又可被相邻原子的价电子填补，再出现空穴，如右图所示。 在半导体中同时存在自由电子和空穴两种载流子参与导电，这种导电机理和金属导体的导电机理具有本质上的区别。 第3页 在纯净的硅（或锗）中掺