双极型晶体管直流白底.ppt

双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度应远小于少子扩散长度。 集成电路的计算机辅助设计需要简单而精确的器件模型 E-M 方程的建立，是为了用计算机来模拟BJT 的特性。目前BJT 的模型有两种： E-M 模型和G-P 模型。 E-M模型是最早的将器件物理参数与终端特性相联系的数学模型 模型越精确，建模就越复杂，因而要折中考虑 E-M模型简单而实用，是计算机模拟的基本模型 其简单形式只需3个独立参数 计入串联电阻、势垒电容及厄尔利效应，参数增至9个 进一步发展的G-P（Gummel-Poon）模型，也称积分电荷控制模型，更为精确，但参数达25个，简化后回到E-M模型 E-M模型是一种非线性直流模型，未考虑器件中的电荷存储效应，为与后来的改进模型相区别，记作E-M1 计及非线性电荷存储效应及欧姆电阻等，构成二级复杂程度的E-M2 包括基区宽度调制、大电流下?及正向渡越时间?的变化、集电结电容的分布性及器件参数随温度的变化等二阶效应，构成E-M3（与G-P模型等价） E-M1基于电流-电压方程： I-V方程侧重描述结构参数与I-V关系 E-M模型侧重器件终端特性，适于电路模拟，而将器件参数归纳成为模型参数 从E-M模型理解开路、短路饱和电流及其相互关系，进一步理解p-n结的相互作用 E-M 模型把晶体管看成由一个正向晶体管和一个反向晶体管叠加而成。 晶体管中的两个p-n 结分别用两个二极管来代表 而基区载流子的传输特性则由电流源来代替 1954 年Ebers 和Moll 提出的原始型E-M 方程 适用于BJT 所有的工作区 简单直观，物理概念清晰 BJT 是由两个背靠背的p-n 结构成的 增加结深 浓硼保护 刻槽工艺 分压环 圆角图形 刻槽工艺 4.关于消除结电场集中的措施 增加结深 浓硼保护 分压环 圆角图形 §2.5 晶体管的直流特性曲线介绍 一、共基极直流特性曲线族 二、共发射极直流特性曲线族 三、不正常的输出特性分析 1. 输入特性 2. 输出特性 1. 输入特性 2. 输出特性 一、共基极直流特性曲线族 1. 输入特性 1、共基极输入特性为一正向p-n结（发射结）伏安特性，Ie随Veb按指数规律上升； 2、随│Vcb│增大，曲线变陡，即随集电结反偏增大，势垒展宽，有效基区宽度减小，基区电子浓度梯度增大，扩散加剧，电流Ie增大。 一、共基极直流特性曲线族 2. 输出特性 输出特性曲线可以分为： 饱和区：发射结正偏，集电结正偏 放大区：发射结正偏，集电结反偏 截止区：发射结反偏，集电结反偏 击穿区 二、共发射极直流特性曲线族 1. 输入特性 Veb Vce 1、共发射极输入特性亦为一正向p-n结（发射结）伏安特性，Ib随Veb按指数规律上升。 2、受Vce调制，Vce=0时，曲线过原点。 3、Vce0,集电结反偏，此时若Veb=0,集电结漏电流从基极流出，Ib0，曲线不过零点 4、随Vce增加，Wb减小，曲线趋于平坦。 二、共发射极直流特性曲线族 2. 输出特性 输出特性曲线可以分为: 饱和区：发射结正偏，集电结正偏 放大区：发射结正偏，集电结反偏 截止区：发射结反偏，集电结反偏 击穿区 IC受VCE显著控制的区域，该区域内VCE的数值较小，一般VCE＜0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 IC接近零的区域，相当IB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。 IC平行于VCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大约0.7 V左右(硅管) 。 三、不正常的输出特性分析 三、不正常的输出特性分析 三、不正常的输出特性分析 §2.6 基极电阻 一、概述 二、梳状结构晶体管的基极电阻 由于基区有—定的电阻率，且基区很薄，在共发射极应用时它又是输入端电阻，因而对晶体管的许多参数和特性都有直接的影响。 晶体管的基极电阻．又称为基极扩展电阻，包括基区的体电阻和基极电极引出线处的接触电阻两部分。 基区电阻主要决定于晶体管的结构尺寸及基区电阻率。 双极晶体管的基极电极都是做在发射极边缘附近，因而基极电流是平行于结平面流动的，即基极电流为横向电流。 二、梳状结构晶体管的基极电阻 二、梳状结构晶体管的基极电阻 Seb Se Sb Le xjc 二、梳状结构晶体管的基极电阻 Seb Se Sb Le xjc Seb Se Sb Le xjc Ib rb1 rb2 rb3 Rcon 二、梳状结构晶体管的基极电阻 1、rb1 0 Se/2 Wb Le 基极电流包