模拟电子技术总复习华.ppt

* * * Analog Electronic 第一章　导言 模拟电子系统的组成 模拟信号和数字信号 模拟电子电路 数字信号处理电路 信号的 提取 信号的 预处理 信号的 加工 信号的 执行 第二章　集成运放及应用 放大电路的主要性能指标(放大倍数、输入和输出电阻） 放大的概念及放大电路的方框图 运放理想化 有多个输入时可采用叠加原理。 运算关系的推导方法： 可利用虚断、虚短和虚地的概念求解， 牢记基本运算电路及其运算关系： 线性应用：必须有负反馈 运放的电压传输特性 理想运放两个工作区域 的特点 uo uN uP i+ i– + Aod 电压比较器： 阈值电压、电压传输特性、波形 第三章　二极管及应用电路 本征半导体 半导体 杂质半导体 N 型半导体： P 型半导体： 多子 少子 本征半导体掺杂 空穴 电子 电子 空穴 PN结 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 形成一定宽度空间电荷区（耗尽层） 动态平衡 PN结的单向导电性 反向偏置 正向偏置 导通 截止 二极管 伏安特性 结构和符号 反向饱和电流（受温度影响） 模型 参数 恒压降模型: 理想模型： 导通压降 判断理想二极管导通与否的方法： 断开管子，分析管子阳极和阴极的电位。共阴和共阳优先导通问题 IF、 UR、 IR 应用 利用单向导电性：整流 正向导通、反向截止（单向导电性） 稳压二极管稳压电路 稳压二极管 稳压工作区域（反向击穿区） UZ 、IZmin 、IZmax 限流电阻的作用 符号、伏安特性及主要参数 第四章　三极管及放大电路 三极管 电流放大作用和电流分配关系 输入、输出特性曲线 三个工作区域及其偏置条件 结构 晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点 工作状态 NPN型 PNP型 截止状态 特点 E结、C结均反偏 E结、C结均反偏 VB＜VE、VB＜VC VB＞VE、VB＞VC IC ≈0 放大状态 VC ＞VB ＞ VE E结正偏、C结反偏 IC ≈βIB E结正偏、C结反偏 E结、C结均正偏 VC ＜VB ＜ VE 临界VCE＝VBE 饱和状态 VB ＞VE、VB ＞VC E结、C结均正偏 VB ＜VE、VB ＜VC 晶体管的主要参数 性能参数和极限参数 温度对晶体管特性及参数的影响 1、三极管放大电路的基本接法（基本组态）， 信号放大原理（从图解分析法来理解） 共射极放大电路： [包括：固定偏置电路(图4.2.4） 和静态工作点稳定电路(图4.4.2）] 共集电极放大电路(射极输出器)，共基极放大电路 基本放大电路的分析计算（4.3，4.4） 直流通路、求静态工作点的估算法，电路 参数对静态工作点的影响、直流负载线、 静态工作点及其稳定 2、基本放大电路的静态分析 根据静态电位判断三极管及其工作状态 3、基本放大电路的动态分析 放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算； 饱和失真与截止失真分析，输出波形反映出的失真、 交流通路、h参数（简化）等效模型； 第五章　场效应管及其基本放大电路 场效应管的分类、结构、工作原理及特性曲线。 最大不失真输出电压 场效应管的输出特性可分为四个区： 夹断区、可变阻区、饱和区（或称恒流区、放大区） 和击穿区。在放大电路中，场效应管工作在饱和区 （或称恒流区、放大区）。 4、上限频率、下限频率和通频带的概念， 频率失真（线性失真）的概念 第六章　集成运算放大电路 直接耦合放大电路的零点漂移主要是晶体管的温漂造成的，多级放大电路中第一级的零点漂移影响最大。 2、直接耦合放大电路的零点漂移（6.3.1） 1、多级放大电路的耦合方式和静动态分析（6. 1） 3、差分放大电路组成及其静态、动态分析（6.3) 差模信号和共模信号，差模放大倍数，共模放大倍数，共模抑制比，混合信号化为差模信号和共模信号 ；总输出电压 若为阻容耦合，各级静态工作点可单独计算； 计算放大倍数时一定要考虑前后级放大器的相互影响 （如后级放大器的输入电阻为前级放大器的负载电阻） 总输入和输出电阻 甲类，乙类，甲乙类。 功放管的几种工作状态： OCL，OTL电路的组成特点；交越失真及其消除 分析计算：求输出功率（最大不失真输出功率）、管耗、电源提供的功率及效率 它们常被用来作为各级放大电路的偏置元件和有源负载,以提供稳定的工作电流和较大的动态电阻 电流源是一个输出电流恒定的电路。 5、集成运放中的电流源:镜像电流源、微电流源（6.5） 4、功率放大电路（6.4） 功率放大电路的特点：大信号工作，功率、效率、失真为主要技术指标 5、深度负反馈的概念，在深度负反馈条件下， 放大倍数的估算；（7.3.1和7.3.2） 4、交流负反馈放大电路的一般表达式；（7.2） 3、