磁性材料的铁磁共振线宽分析.pdfVIP

摘要 ⑦ 摘要 磁性薄膜的磁化动力学特性是当今新兴学科一一自旋电子学的重要研究方向 之一。磁化动力学阻尼由于直接关系到自旋电子器件和磁性存储器件的读写速度， 吸引着很多科研工作者的兴趣。铁磁共振由于高的灵敏度和装置简单成熟的优点， 被广泛的应用于磁特性和磁性弛豫的研究。其吸收谱能够间接的反映磁化动力学阻 尼等信息。本文利用铁磁共振手段对磁性弛豫机制中的双磁子散射和铁磁／非磁多层 膜结构的自旋泵浦进行了系统的研究，获得主要结果如下： 一Fel_xGdx磁性薄膜的双磁子散射线宽研究 本文利用高真空磁控溅射仪制备了不同稀土Gd掺杂的Fe薄膜，Gd掺杂浓度从 nm)／Ta(5nm)。研究发现，随 O％增加到26％，薄膜的结构为Si／Ta(5nm)／Fel．xGd。(30 Gd含量的增加，薄膜从多晶转变非晶的转变。饱和磁化强度和矫顽力随Gd的增加 不断减小。通过铁磁共振对Fel．xGd，系列薄膜的面外线宽进行测量，发现Fel-xGdx系 列薄膜中存在较大的双磁子散射，这种双磁子散射导致线宽的显著增宽。利用 合，结合Arias和Mills提出的双磁子散射理论，成功的分离出双磁子散射对于线宽 加宽的贡献，得到了Fel．。Gd。系列薄膜本征Gilbert阻尼因子a等重要磁性参数。发 现阻尼因子a随着Gd参杂含量的增加从0．0065逐渐增大到0．054。说明稀土Gd掺 杂对调制Fe薄膜的磁性阻尼有非常重要的作用。 二FeNi／Tb和FeNi／Cu．Tb薄膜的自旋泵浦研究 用高真空磁控溅射仪制各了不同系列的FeNi／Tb和FeNi／Cu．Tb薄膜，对 nm)／n(dlnm)薄膜的基本磁性研究表明：随着Tb覆盖层厚度 Si／rb(5nm)／FeNi(10 的增加饱和磁化强度减小，而矫顽力和单轴各向异性有所增强。铁磁共振研究表明： FeNi／n结构具有很强的自旋泵浦效应，导致阻尼显著增加。通过将缓冲层Tb置 换成Ta，制备系列Si／Ta(5nm)／FeNi(10nm)／Tb(d2nm)薄膜，对比研究发现，自 旋泵浦效应有所减弱，主要是由于FeNi／Ta自旋泵浦效应较弱所致。通过改变磁性 层FeNi的厚度，制备薄膜结构为Si／aa(5nm)／FeNi(d3nm)／Tb(4nm)，发现阻尼与 nm， 铁磁层FeNi厚度成反比，与自旋泵浦理论一致。得到的自旋扩散长度Xso。8 万方数据 摘要 ③ Tb(5nm)／FeNi(10rim)／Tb(d『lnm)，Ta(5nm)／FeNi(10nnl)／Tb(如nm)和Ta(5nm)／ FeNi(d3nm)／Tb(4 受到铁磁材料中稀土掺杂可以提高自旋轨道耦合启发，在弱自旋泵浦材料Cu 中掺杂Tb，调制非磁层Cu．Tb的自旋轨道耦合与界面混合电导，从而达到调制自旋 泵浦的目的。利用高真空磁控溅射仪制备了三个系列样品，分别改变覆盖层的厚度 和Tb的掺杂浓度，薄膜结构为：Si／Ta(5nm)／FeNi(10nm)／Cul．xTb。(dnm)d_-0，l， 2，4，8，16和32nm，Tb的浓度分别为工=22％，48％和66％；实验结果很好的证 旋扩散长度随着Tb的增加而减小，从22％Tb的18nm减小到66％Tb的8nm，而 薄膜确实能够对自旋泵浦起到很好的调制作用。 关键词： 铁磁共振，双磁子散射，自旋泵浦，稀土掺杂，阻尼 万方数据 ABSTRACT ABSTRACT