工程材料强化与韧化的主要途径2012.ppt

第八章 工程材料强化与韧化的主要途径 8.1 晶体中的位错与塑性变形 8.2 晶体材料基本强化途径 8.3金属材料的断裂与韧化途径 8.4 提高非金属材料强度及增韧的途径 8.5 金属材料表面强化及表面改性处理技术 8.1.1 材料的变形类型 1. 弹性变形 定义：材料在外力的作用下会发生变形，如果卸载后变形也随之消失 特点：变形可逆；σ＝Eε 脆性材料：断裂前只发生弹性变形的材料，如铸铁、大多数陶瓷材料等 2. 塑性变形 定义：材料在外力的作用下发生变形，如果卸载后变形不能完全消失 特点：留下一定的残余变形或永久变形；应力和应变不成线性关系 原因：由于发生了材料流动；不会引起体积变化 类型：晶体的塑性流动和非晶态物质的粘性流动 8.1.2 材料的理论强度与实际强度 8.1.3 位错与晶体的塑性变形 位错及位错理论： 1926年弗兰克尔估出了理想晶体理论剪切强度； 1934年Taylor、Polanyi、Orowan几乎同时提出位错的概念，认为滑移是通过位错在切应力作用下在晶体中逐步移动实现的，所需的切应力大大减小； 1939年Burgers提出用柏氏矢量来表征位错，并引入螺位错的概念； 1947年Cottrell提出溶质原子与位错的交互作用； 1950年Frank与Read提出位错增殖机制； 50年代TEM观测到晶体中位错的存在与运动； 8.1.4 位错与晶体材料强度的关系 1. 尽可能地减少晶体中的位错密度，使其接近于完整晶体，或者说制成无缺陷的完整晶体，使金属实际强度接近于理论强度 2. 尽量增大晶体中的位错密度，并尽可能地给运动着的位错设置阻碍，以及抑制位错源的活动 位错阻力： 纯材料的位错阻力：晶格阻力－点阵摩擦阻力，取决于结合键的性质，晶格类型 工程材料的位错阻力：晶体缺陷和第二相质点 8.2 晶体材料基本强化途径 8.2.1 冷变形强化(加工硬化、形变强化) (strain strengthening) 1. 金属单晶体的加工硬化曲线 晶体结构对单晶体加工硬化曲线的影响 2.多晶体的加工硬化曲线 (1) 应力-应变曲线不出现第一阶段，加工硬化率明显高于单晶体 2.多晶体的加工硬化曲线 (2)细晶粒的加工硬化率一般大于粗晶粒金属 2.多晶体的加工硬化曲线 (3)合金比纯金属的加工硬化率要高 加工硬化原因： （1）剧烈冷变形位错密度增加4-5个数量级 （2）τ＝τ0＋Aρ1/2 加工硬化应用： （1）强化金属材料的手段之一，尤其是一些不能通过热处理方法强化的金属可通过冷轧，冷挤压，冷拔和冷冲压方法，在变形的同时提高其强度和硬度 （2）纯铜、纯铝等纯金属的唯一强化方法 （3）不发生相变金属的重要强化手段 8.2.2 固溶强化(solid solution strengthening) 定义：合金元素溶于金属基体中形成固溶体而使金属强度、硬度升高的现象，称为固溶强化 固溶强化机制： 晶体结构中的弹性、 电、化学及几何交互作 用。其中最主要的是溶质原子与位错的弹性 交互作用阻碍了位错的运动。 (1)基体金属晶格发生畸变，产生附加的应力场，阻碍位错的运动； (2)溶质原子被吸附在位错线附近，降低了位错的能量状态 Cotrell气团模型：溶质原子趋于聚集在位错的周围，以减小点阵畸变，降低体系的能量；克服基体溶质原子对位错的摩擦阻力。 固溶强化程度的影响因素： (1)溶剂原子与溶质原子的直径、电化学特征等差异越大，强化效果越明显； (2)形成间隙固溶体的合金一般比形成置换固溶体的合金强化效果好； (3)在固溶体的溶解度范围内，溶质的加入量越多，浓度越大，强化效果越明显。与滑移面上溶质原子的间距有关，间距越小，滑移面越粗糙，产生的强化效果越明显。 固溶强化的应用： 碳、氮原子对α –Fe的强化，每溶解质量分数为1％的C和N，大约相当于强度提高450MPa 8.2.3 细晶强化(grain size strengthening) 细晶强化：即晶界强化 细晶强化主要原因：晶界是位错的障碍 (1)位错塞积 (2)相邻晶粒间存在位向差 (3)晶界上原子排列不规则，富集杂质，缺陷多 晶界阻力-Hall-petch公式： σS＝σ0＋Kyd-1/2 注：细晶强化不适用于高温高强度及弹性材料 细化晶粒的途径： （1）控制合金的熔炼和铸造工艺 （2）控制变形度、再结晶退火温度和时间 （3）控制加热和冷却工艺参数，利用相变重结晶 8.2.4 第二相强化(分散强化) (dispersion strengthening) 定义：材料通过基体中分布有细小弥散的第二相质点而产生强化的方法 第二相强化机理：通过第二相粒子对位错运动的阻碍作用而表现出来的。将第