N-型准一维硫化镉纳米结构控制合成与其光电子器件的分析.pdfVIP

管等)的控制 晶体质量，以 ，又可以作为 件小型化的限 制，在后摩尔定律时代获得重要应用，并得到新一代纳米光电子器件，从而对 社会、科技的发展产生深远的影响。 eV，CdS薄膜与体材料已广泛应用于可见光探测、光伏等重要领域。CdS纳米 结构具有许多迷人的性质，如随尺寸可调的发光波长、室温激光发射、高增益 光电探测等。因此，CdS纳米结构的控制合成及其光电子器件应用的研究已成 为纳米材料领域的研究热点之一。为实现其应用，利用掺杂控制其光电性质必 不可少，但由于在纳米材料电学性质表征方面的困难，此方面的研究仍处于初 步阶段，相关研究亟待开展。基于CdS纳米结构的光电子器件应用的研究也有 待深入。 本论文对CdS纳米线的n型掺杂及其相关光电子器件进行了系统研究。首 基于单根CdS纳米线的底栅和和顶栅结构纳米场效