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NAND Flash 启动的问题(u-boot) 用的是 S3C2410.见附件 start.s 其中关于 nand flash 启动的那一段一直百思不得其解,按说从 NAND FLASH 启动时,应该是前 4KB 映射到 NGCS0,其中的代码将 NAND 中存放的程序拷贝到 RAM 中,但该文件提供的程序好象是先从 NAND 拷贝 128K 的代码到 ResetEntry 开始的地方,即 地址为 0 的地方,然后再从 ResetEntry 处拷到 RAM 中,但此时 NGCS0 好象只有 4KB 的 RAM 区, 怎么能存储 128K 的代码,一直没想通.望高手指点,谢谢! 搞明白了,是两条指令的差别 LDR r0,=_entry 和 ADR r0,_entry 前者是在编译的时候按照 load address 生成的绝对地址,后者反汇编后是相对当前 PC 寻址,例如在 ADS 中设置 RO 地址为 0那么前者传给 r0 的值是 0而后者传给 r0 的值要视当前 PC 而 定,一般从 NGCS0 中启动时,传给 r0 的值就是 0。 amsung S3C2410 支持 Nor Flash 和 Nand Flash 启动,在 SBC-2410X 上可以通过 BOOTSEL 跳线 设置启动方式: || | 。。 | boot from nand flash || 。。 boot from nor flash 注: (1) BOOTSEL 跳线在串口和usb slave 接口之间 (2) 两个引脚用跳线卡连接，则表示从 nand flash 启动。拔下跳线卡表示从 nor flash 启动。 椐了解 NOR FLASH 是容量小，速度快，稳定性好，适合做程序存储器。 NAND FLASH 总容量大，适合做数据存储器 是不能从 NAND FLASH 启动的，NAND FLASH 是的读写时序是不能直接有 ARM 硬件产生的，要 读写 NAND FLASH 是要通过程序来实现的，很明显能看出来的就是 NAND FLASH 只有 8 个数据、 地址复用的数据地址接口 2410/2440 可以直接从 NAND FLASH 启动的，因为它把 NAND 前面的 4K 映射到了 RAM 的空间 首先应该先了解 Flash ROM 的种类 NOR FLASH 地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。 NAND Flash 地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。 通俗的说，就是光给地址不行，要先命令，再给地址，才能读到 NAND 的数据。 而且都是在一个总线完成的。 结论是：ARM 无法从 NAND 直接启动。除非装载完程序，才能使用 NAND Flash. 装载程序只能从 mask rom 或者 Nor flash. NAND 和 NOR flash 技术 设计师在使用闪存时需要慎重选择 ——M-Systems公司 Arie TAL NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于 1988 年首先开发出NOR flash技 术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年 之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器” 互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存 只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再 把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在 1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的 写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写 入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。性能比较 flash 闪存 是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或 已擦除的单元内进行，所以大多数情况