第4章场效应管及放大电路.ppt

第4章 场效应管放大电路 基本要求 了解场效应管的分类、结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理； 熟悉输出特性曲线和转移特性曲线，以及场效应管的主要参数； 掌握场效应管放大电路的组成、分析方法和应用。 FET 特点 4.1 结型场效应管(JFET) 4.1.2 N沟道结型场效应管的工作原理 4.1.2.1 对导电沟道和 的控制作用 4.1.3 结型场效应管的特性曲线 2．转移特性曲线 4.2 绝缘栅场效应管(IG-FET) 4.2.1 N沟道增强型MOSFET 在一块掺杂浓度较低的P型半导体材料(衬底)上，利用扩散工艺在衬底上形成两个高掺杂浓度的N型区域(用N+表示)，并在此N区域上引出两个接触电极(铝电极)，分别称为源极(S)和漏极(D)，两个电极之间的衬底表面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层，该绝缘层上再沉积金属铝层并引出电极作为栅极(G)，从衬底引出的电极称为衬底电极(B)，通常将衬底电极和栅极连接在一起使用。 4.2.1.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 4.2.1.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 4.2.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.2.3 MOS场效应晶体管使用注意事项 MO