第2章光探测器概述.pptVIP

光电信号检测 §2－1 发展简况与分类 一、发展简述 最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器。其中，热电偶早在1826年就已发明出来。 从上世纪五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作，发现它具有许多独特的优点，因此近年来有关热释电探测器的研究工作特别活跃，发展异常迅速。 1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。 八十年代中期，出现了利用掺杂的GaAs／AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8—12μm波段，工作温度为77K。由于这种器件在军事和民用中的重要性，发展非常迅速。 随着激光与红外技术的发展，在许多情况下单个光探测器已个能满足探测系统的需要，从而推动了阵列(线阵和面阵)光辐射探测器的发展。 目前，光电探测器的另一个发展方向是集成化，即把光电探测器、场效应管等元件置于同一基片上。这可大大缩小体积、改善性能、降低成本、提高稳定性并便于装配到系统中去。 电荷耦合器件(CCD)也是近年来研究的一个重要方面，其性能达到相当高的水平、将光辐射探测器阵列与CCD器件结合起来，可实现信息的传输。 光电子效应——大多数是半导体材料 内光电效应： 基于光电导、光伏特和光电磁效应，在吸收了大于红外波长的光子能量以后，材料中出现光生自由电子和空穴的现象称为内光电效应。 外光电效应： 基于光电子发射效