第1章 半导材料及二极管 11.pptVIP

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  • 2019-05-04 发布于浙江
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模拟电路基础 授课教师:吴援明 第一章 半导体材料及二极管 概述 半导体:导电性能介于导体与绝缘体之间的物体 半导体材料:Si和Ge PN结二极管 形成过程 伏安特性 应用电路 几种特殊的二极管 1.1 半导体材料及其特性 半导体材料: Ⅳ族元素硅(Si)、锗(Ge) III-V族元素的化合物砷化嫁(GaAs)等。 ☆导电性能会随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。 本征半导体 杂质半导体 1.1.1 本征半导体 本征半导体-纯净的具有晶体结构的半导体。 晶格-在本征Si和Ge的单晶中,原子在空间形成排列整齐的空间点阵。 共价键结构 本征激发 本征半导体中的两种载流子 本征浓度 1.共价键结构 共价键 图1.1 单晶Si和Ge的共价键结构示意图 2.本征激发 自由电子 空穴 原子因失去一个价电子而带正电,这个带正电的“空位”叫空穴。 本征激发 半导体在外界)热或光或其他)激发下,产生自由电子空穴对的现象。 图1.2 本征激发示意图 3.本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 图1.3 电子与空穴的运动 空

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