第2章3场应晶体管.pptVIP

2.5 JFET与MESFET器件基础 2.5.1 器件结与电流控制原理 1 结型场效应晶体管的结构 用掺杂在n型衬底上构成p+区，从而形成一个pn结。 上下两个P型区联在一起,称为栅极(G: grid)。 pn结下方有一条狭窄的N型区域称为沟道(channel)，其厚度为d，长度为L，宽度为W。 沟道两端的欧姆接触分别称为漏极(D, drain)和源极(S, source)。这种结构又称为N沟JFET。 2 JFET中沟道电流的特点 在漏（D）极和源（S）极之间加一个电压VDS,就有电流IS流过沟道. 如果在栅（G）和源（S）极之间加一个反向pn 结电压VGS，将使沟道区中的空间电荷区之间的距离逐步变小,由于栅区为P+,杂质浓度比沟道区高得多，故PN结空间电荷区向沟道区扩展,使沟道区变窄.从而实现电压控制源漏电流的目的。 综上所述： 1 JFET是压控器件. 2 JFET工作时,栅源是反偏电压,控制电流很小,因此是用小输入功率控制大的输出功率. 3 ID是在沟道中电场作用下多数载流子漂移电流,又称为单极器件. 2.5.2 JFET直流输出特性的定性分析 1 VGS=0情况下的源漏特性 一般源极接地。由于栅区为P+,可以认为栅区等电位. 2 VGS0情况下的源漏特性：曲线下移 2、特性分析 1.阈值电压VT Nsub为沟道掺杂浓度，a代表沟道宽度的一半 2.直流