第二章半体三极管放大2012919.ppt

2019-5-2 1 2.1 BJT 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定问题 2.2 基本共射极放大电路 2.5 多级放大电路 第二章 半导体三极管放大电路 2.6 其他放大电路 2019-5-2 2 2.1.1 BJT的结构简介 2.1.2 放大状态下BJT的工作原理 2.1.3 BJT的V-I 特性曲线 2.1.4 BJT的主要参数 2.1.5 三极管放大的三种组态 3.1 BJT 2019-5-2 3 2.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 外形 2019-5-2 4 半导体三极管类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 2019-5-2 5 BJT和TTL概念 BJT：Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，简称晶体三极管。 TTL(逻辑门电路)全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 2019-5-2 6 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号 BJT的结构简介 2019-5-2 7 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 BJT的结构剖面 内部： （内构造） 发射区杂质浓度基区和集电区 基区很薄 发射区面积＜＜集电区面积 2019-5-2 8 NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 三极管结构及符号 2019-5-2 9 （1）产生放大作用的条件 使内部载流子三个传输过程正常进行的条件： 内部： （内构造） 发射区杂质浓度基区和集电区 基区很薄 发射区面积＜＜集电区面积 外部：(外加电压） 发射结正偏 集电结反偏 2.1.2 放大状态下BJT的工作原理 --------电流分配和电流放大作用 2019-5-2 10 （2）三极管内部载流子的传输过程 发射结正偏（多子扩散）： 发射区（N区电子浓度大）向基区发射多子电子的过程，电子在（薄的）基区扩散和复合过程（复合很少部分，大部分到集电区边缘） 集电结反偏（少子漂移）： 电子被（大面积、掺杂少）集电区吸引和收集的过程（同时少子有漂移） 2019-5-2 11 三极管内部电流的流向 提问？为什么少子只考虑 I CBO，因为集电结反偏，少子不可忽视 发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB (因为基区很薄，掺杂少， iB小) 集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 iC 少子的漂移形成集电极饱和电流 ICBO 2019-5-2 12 iE = iC + iB ★★放大原理小结 实验表明iC比iB大数十至数百倍。iB虽然很小，但对iC有控制作用，iC随iB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用 （本质是直流能转换成交流能）。 （3）电流分配关系（含大小）： 2019-5-2 13 (1)输入特性曲线（UCE为常数时，从输入方向看的VAR） 与二极管类似 2.1.3 BJT的V-I 特性曲线1. 三极管的特性曲线 -----输入 iB=f(vBE) vCE=const. (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 （以共射极放大电路为例） 输入特性曲线 2019-5-2 15 三极管的特性曲线 -----输出---特性曲线三个区 讲清左右两图区别，左边是电源电压和偏置电阻固定，IB一定时的图 讲清三个区的 条件和特性， 详细见下页。 2019-5-2 16