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MOSFET 参数理解 分类：电源分享2012-07-16 14:33 4629 人阅读评论(0) 收藏举报 soa 工作测试存储平台制造 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta 25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根 据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS 的详细描述请参 见静电学特性. VGS 最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压 过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺 的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 1 ID- 连续漏电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的 最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数： ID 中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃ （Tcase）也很难。因此， 硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@TC 25℃的一半，通常在1/3～1/4