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太阳能电池片总结 　　电池片各参数异常的原因　　Isc偏低的原因：　　?1、绒面较差?光反射率较大；??2、扩散方块电阻偏低?磷掺杂过多；??3、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽　　?等现象?电流不能被有效地收集；???4、烧结炉温度出现较大波动；　　1.容易理解。　　2.重掺杂会加大表面复合　　3.容易理解　　4.烧结不好引起欧姆接触不好，致使串联电阻增大　　Voc偏低的原因：　　?1、绒面较差?扩散pn结不均匀；??2、扩散方块电阻偏高?无法形成有效的电势差；　　??铝浆型号用错；???3、丝网印刷第二道?铝浆搅拌不均匀；??印刷重量偏低；?????4、烧结温度出现波动；　　1.方块电阻不均匀，结深高低不一致，烧结Ag电极渗透中，有的地方接触不好，有的地方可能过烧　　2.即掺杂太少　　3.　　Rs偏高的原因：　　?1、绒面较差?电极接触不均匀；??2、扩散方块电阻偏高?接触电阻增大；??3、丝网印刷第三道出现虚印、断线?接触电阻增大；　　?4、烧结炉温度出现较大波动；?　　Rsh偏低的原因：　　???1、绒面较差?扩散pn结不均匀；　　?2、扩散方块电阻偏高?pn结过浅；???未完全刻蚀?边缘漏电；??3、刻蚀?过度刻蚀?pn结被破坏；???硅片表面被浆料污染?pn结被破坏；?4、丝网印刷????漏浆?上下电极发生短路，产生漏电；???5、烧结温度过高?pn结被破坏；　　1．　　2．扩散方块电阻偏高，即扩散掺杂浓度低，导致内建电场偏低，耗尽区电阻变小　　3.未完全刻蚀必然导致边缘漏电，容易理解；过度刻蚀导致并联电阻降低，是因为PN结所占的横截面积变小，所以耗尽层总电阻变小。　　4.铝浆在N区的扩散会破环PN结，因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆，有可能在烧结过程中扩散穿过PN结，导致PN结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆，可直接引起边缘漏电。　　5.烧结温度太高，可导致Ag的扩散太大，以致穿过PN结，直接导致短路　　FF偏低的原因：　　?1、Rs偏高；??2、Rsh偏低；　　太阳能电池片技术说明　　一、晶体硅太阳能电池特点　　*光电转换效率高，低衰减、可靠性高　　*先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；　　*运用先进的管式PECVD成膜技术，给电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，致密、均匀、美观；　　*应用高品质的金属浆料制作电极和背场。降低串联电阻，确保了电极良好的导电性、提高了填充因子，可焊性以及背场的平整性；　　*高精度的丝网印刷和高平整度，使得电池易于自动焊接和激光切割。　　二、晶体硅太阳能电池技术参数　　I、单晶硅太阳能电池　　1、CY-S125-R165电池片技术参数⑴、外形尺寸　　⑵、电性能参数　　2、CY-S156-R200电池片技术参数(1)、外形尺寸　　II、多晶硅太阳能电池片　　1、CY-M156-R219电池片技术参数、外形尺寸　　3、CY-M156B-R219电池片技术参数　　太阳能电池(电池片)生产工艺　　(XX-07-1911:35:28)　　转载　　标签：　　杂谈　　生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。本文介绍的是晶硅太阳能电池片生产的一般工艺与设备。　　一、硅片检测　　硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片(转载于:写论文网:太阳能电池片总结)，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。　　二、表面制绒　　单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温