天线设计-南台科技大学.DOCVIP

應用於GSM五頻之直接饋入式單極天線設計 呂子齊 南臺科技大學電子工程系 摘要-本文所提出一款符合GSM850/900/1800/1900、UMTS操作頻段應用之手持式裝置天線，本款天線剛開始使用一50歐姆微帶線饋入以在低頻及高頻先達成一部分之頻帶，接著在背面拉出其他路徑以增加模態及調整模態之匹配。詳細天線設計與結果將在本文中探討。 簡介 近年來，在手機發展上，進步得相當迅速，各式各樣的通訊產品隨處可見，而最常看見的便是我們人手一支的「手機」。在如此進步的時代裡，縮小化、製作簡單……等就變成了現今科技進步的主流，因此如何克服這些困難都是我們必須去努力的方向。在無線通訊產品裡有許多不同的天線架構，依據電流激發機制可分為PIFA天線、迴圈天線、單極天線。但PIFA天線為了在低頻產生模態必須拉長或彎折路徑受品質因素的影響，使得無法匹配出良好的頻率[1-2]；迴圈天線有可以產生較多的模態，再藉由調整模態的匹配以達成所需頻寬，因此可在有限的尺寸內取得所需要的頻寬[3]。本設計之天線須GSM 850/900/1800/1900 / UMTS五個應用頻段，固我們在正面先以一個單極天線振出基本的模態，再以背面的路徑作為調整匹配及增加所需之模態以達成設計要求。 天線設計 本天線設計應用於GSM 850/900/1800/1900/UMTS五頻操作(0.824 GHz~0.960 GHz與1.710 GHz~2.170 GHz)。製作於板材規格之平面大小為100 mm × 60 mm (L × W)及厚度為 0.8mm 之玻璃纖維介質基板(FR4, Flame Retardant 4)；基板之相對介電係數為4.4，損耗正切為0.0245 S/m。其中主輻射面積大小為 12 mm × 60 mm，接地面積為88 mm × 60 mm。天線設計由 50歐姆之微帶線饋入，藉由正面的單極天線共振出0.9G 本研究由科技部贊助，計畫編號NSC 101-2632-E-218-001-MY3 和 NSC 102-2221-E-218 -005- 和MOST 103-2221-E-218 -003-. 圖2為天線實測與模擬返回損失比較圖而模擬與分析返回損失比、阻抗分佈圖與天線遠場之輻射場型均是使用HFSS(High Frequency Structure Simulation)電磁模擬軟體設計。 圖1 天線幾何圖 表1 天線尺寸表 Parameter Unit (mm) Parameter Unit (mm) W 60 W6 60 W1 13.5 L 100 W2 38 L1 12 W3 53.5 L2 18.75 W4 35 L3 13.75 W5 28 L4 6.9 圖2 實測與模擬之天線返回損失比較圖 結果與討論 圖3、圖4與圖5，對正面單極天線進行參數探討。分別刪減34.5 mm、49.5 mm、56.3 mm、98.4 圖3 參數探討單極天線之返回損失圖 圖4 參數探討單極天線之resistance圖 圖5 參數探討單極天線之reactance圖 圖6、圖7與圖8為W4進行參數探討，分別對W4縮減10 mm、20 圖6 參數探討W4之返回損失 圖7 參數探討W4之resistance圖 圖8 參數探討W4之reactance圖 圖9、圖10與圖11為W5進行參數探討，分別對W5縮減7 mm、14 mm、21 mm，可發現 圖9 參數探討W5之返回損失圖 圖10 參數探討W5之resistance圖 圖11 參數探討W5之reactance圖 圖12、圖13與圖14為W6進行參數探討，分別對W6縮減6.5 mm、15 mm、35.5 mm，可發現在0.940 GHz、2.07 GHz的模態會依縮減幅度而漸漸的往高頻移動，當刪減至24.5 圖12 參數探討W6之返回損失圖 圖13 參數探討W6之resistance圖 圖14 參數探討W6之reactance圖 遠場輻射場形模擬 此天線操作頻率在 0.860 GHz、0.930 GHz、1.7 0GHz、2.07GHz時，模擬之2D遠場輻射場形圖，如圖15、16、17與18所示。 圖15 0.860 圖16 0.930 圖17 1.70 圖18 2.07 結論 此單極天線運用了50歐姆微帶線饋入延伸出一支單極天線並在背面加上其他路徑，以達成足夠的頻寬及較佳的匹配，經由模擬與實作之結果驗證皆有達成GSM 850/900/1800 /1900/UMTS規範之頻帶應用，另外模擬之遠場輻射場形分別在0.860 GHz、0.930 致謝：由行政院科技部(國家科學委員會)計畫經費來支持這項工作，在此一併感謝。計畫編號：NSC 101-2632-E-218-001-MY3 和 NSC