热加工测控专业技术石德全参考标准答案.docVIP

热加工测控专业技术石德全参考标准答案.doc

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热加工测控专业技术石德全参考标准答案

NUMPAGES 45 全书参考答案 第1章p25 一、填空题 1. 真值, 理论真值,指定真值, 实际真值 2. 模拟信号, 数字信号, 开关信号 3. 灵敏度, 线性度, 回程误差, 分辨力和分辨率, 时间常数, 响应时间, 上升时间, 延迟时间4.单参数电测系统, 多参数电测系统, 遥测系统 5. 方法误差6. 对臂电阻乘积相等, 电阻温度系数相等或相似 7. 使信号中特定的频率成分通过,抑制或衰减其他的频率成分,低通滤波, 高通滤波, 带通滤波, 带阻滤波 8. 准确度, 绝对误差, 精密度, 标准偏差或均方根误差 9. 四臂接法 二、简答题 在测量过程中,由于各种因素的影响,无论如何完善测量方法和测量设备都会使得测量的示值x与真值之间存在一定差异,这个差异称测量误差。。 ①同相放大器:②反相放大器: ③求和放大器: ④差动放大器: 同相放大器 同相放大器 反相放大器 求和放大电路 差动放大器 在测量过程中,凡误差数据值固定或按一定规律变化的叫系统误差。其中数值固定者为恒值误差,按一定规律变化者为变值误差。随机误差又称偶然误差,是由大量偶然因素影响而引起的测量误差。它是测量过程中不可避免的,其数值和性质均不固定。 通常所说的精度往往包括精密度与准确度两种意思。准确度是指测量值与真值的接近程度。通常以准确度来反映系统误差,并以绝对误差表征。越大,准确度就低;反之,小,准确度就高。精密度是指对同一量进行多次测量中所测数值重复一致的程度,即重复性。它是随机误差的反映,常以标准偏差或均方根误差来表征。 所听见的诸如传感器为0.1%、0.2%之说是指精度等级。在工程上,为了方便,引入了一个仪表精度等级来表示仪表测量结果的可靠程度,这个仪表精度等级通常用D来表示。它是指在仪表规定的条件下,仪表最大绝对误差值相对于仪表测量范围的百分数, 相敏检波电路与普通检波电路的区别在于,普通检波电路仅有单向的电压输出和电流输出,不可能辨别正负号,而相敏检波电路能根据放大器输出信号的相位,辨别被测信号的极性,进而判别被测物理量的变化方向。 设,则由最小二乘法得: 代入数据得到:a=0.25, b=0.68 所以, 最小二乘线性度 灵敏度 三、论述题 直流电桥如图所示。其中为桥臂电阻,为仪表内阻,I为总电流,为仪表内流过的电流,两端为输出电压。 根据电路学等效电路原理,可将两端等效为一个带内阻为,电压为的电压源。 (1) 求电压,即将断开后两端的电压,此时,等效电路为: (2) 求等效电阻。将短接,等效电路为 (3) 因此 (4) 仪表两端的电压为: 由于桥路所接仪表内阻足够大,即,故 在时,如果被测物理量的变化使得桥臂电阻发生微小变化,且,则桥路输出电压为: 上式即为直流电桥的和差特性公式。 第2章p71 一、填空题 1. 有源传感器, 无源传感器, 无源传感器 2. 阶梯 3. 蠕变, 零漂 4. 120 5. 桥路补偿, 应变片自补偿6. 桥式测量电路, 调频电路, 脉冲电路, 谐振电路 7. 动态 8. 电轴 9. 电荷放大器, 电压放大器 10增大 二、选择题 1. B 2. C 3. C 4. A 5. D 三、简答题 当外力作用于电阻应变片时,引起的电阻变化为:,其中,由几何尺寸变化引起,由电阻率变化引起,对金属电阻丝来说很小,因此;而对于半导体应变片主要由起作用,因此。 消除差动变压器式传感器零点残余电压的措施:① 从设计和工艺上尽量保证传感器线圈和磁路对称;② 采用拆圈实验的方法减小零点残余电压。这种方法的理论依据是两个次级线圈的等效参数不相等,用拆圈的方法进行调整,以改善线圈的对称性,减小零点残余电压;③ 在电路上进行补偿,这是既简单又行之有效的办法。通常在输出端接一个电位器,电位器的动点接两个次级线圈的公共点,。调节电位器,使两线圈接入不同负载,可使两线圈不同的感应电势产生大致相同的输出电压,以达到减小零点残余电压的目的。 [简要答案] 应变片的工作特性参数:灵敏度系数,应变极限,横向效应,机械滞后,零漂和蠕变,疲劳寿命,允许电流及电阻值,温度特性。应变片的温度补偿方法:桥路补偿,应变片自补偿,包括旋转式自补偿和组合式自补偿。 常用的光电器件有:光电管和光电倍增管(基于外光电效应),光敏电阻(基于光导效应),光电池和光敏晶体管(基于光生伏特效应)。 高频反射式电涡流式传感器的工作原理见教材64页“高频反射式涡流传感器”。 如图1 所示的半导体薄片,若在它的两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上(即霍尔输出端之间)将产生电势差UH,称为霍尔电压,这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。假设,在N型半导体

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