半导体分立元器件.DOC

1 导体（conductor）：容易传导电流的材料称为导体，如金属、电解液等。E50601010101 2 绝缘体（nonconductor）：几乎不传导电流的材料称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102 3 半导体（semiconductor）：导电能力随外界条件发生显著变化的材料称为半导体，如硅（Si）、锗（Ge）和砷化镓（GaAs）等。E50601010103 4 本征半导体（intrinsic semiconductor）：不含杂质，完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。E50601010104 5 杂质半导体（extrinsic semiconductor）：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。因掺入杂质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体。E50601010105 6 N型半导体（N-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量五价元素（如磷（P）、砷（As））的杂质后，自由电子成为多数载流子，而空穴成为少数载流子。这种主要依靠自由电子导电的杂质半导体称为N型半导体。E50601010106 7 P型半导体（P-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量三价元素（如硼（B）、铟（In））的杂质后，空穴成为多数载流子，而自由电子成为少数载流子。这种主要依靠空穴导电的杂质半导体称为P型半导体。E50601010107 8 空穴（hole）：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后所留下的空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，通常可将空穴视为带正电的粒子。E50601010108 9 载流子（carrier）：在半导体中，将能移动的电荷统称为载流子，包括电子和空穴。E50601010109 10 扩散（diffusion）：在P型半导体和N型半导体的交界处，由于多数载流子浓度的差别，载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动，多数载流子的这种运动称为扩散。扩散和漂移产生方向相反的电流。E50601010201 11 漂移（drift）：在扩散产生的内电场作用下，少数载流子有规则的运动，称为漂移运动，简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。E50601010202 12 PN结（PN junction）：由于载流子的扩散和漂移，在P区和N区交界处的两侧形成一个空间电荷区（space-charge region），这个空间电荷区称为PN结。PN结也称为耗尽层或阻挡层。E50601010203 13 耗尽层（depletion layer）：在空间电荷区中，多数载流子扩散到对方并被复合掉，或者说多数载流子被消耗尽了，所以这个空间电荷区也称为耗尽层。E50601010204 14 阻挡层（barrier layer）：在空间电荷区中，由静止电荷所建立的内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，所以这个空间电荷区又称为阻挡层。E50601010205 15 偏置（bias）：在PN结上外加一定的电压，称为偏置。在PN结上加正向电压，称为正向偏置，简称正偏（forward bias）；在PN结上加反向电压，称为反向偏置，简称反偏（reverse bias）。E50601010206 16 半导体二极管（PN junction diode）：在一个PN结的P区和N区分别加上相应的电极引线，外加管壳密封制成的器件，称为半导体二极管。E50601020101 17 二极管导通压降（forward voltage of a PN junction diode）：二极管正向导通时其两端所加的电压称为二极管导通压降，如硅管的导通压降为0.6V~0.7V，锗管为0.2V~0.3V，砷化镓为1.3 ~1.5V等。E50601020201 18 二极管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。E50601020202 19 死区（dead zone）：当二极管所加的正向电压较小时，由于外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，因此这时的正向电流很小，二极管呈现较高的电阻。这段区域称为“死区”。E50601020203 20 最大反向工作电压（maximum peak reverse voltage）：指二极管安全工作时所能承受的最高反向电压。一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2~2/3。E50601020302 21 反向饱和电流（reverse saturation current）：在二极