基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 !$ $$( !$ ， ， ， U91 ’ T9 ’ !$ V:89WE? $$( （ ） !$$$-#L$A$$(A !$ A*!-$* OQDO FR=SQO =STSQO #$$( QC05 ’ C2@ ’ =9: ’ 基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用! !） !） ） !） !） 邸玉贤 计欣华 胡 明 秦玉文 陈金龙 !）（天津大学机械工程学院力学系，天津 #$$$% ） ）（天津大学电信学院电子科学与技术系，天津 #$$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$ !! # $$ ! ! 通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置，它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获 取速度快等特点’ 使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力，并研究了孔隙率和基底掺杂浓 度对残余应力的影响，结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高，多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大，由 此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系’ 关键词：薄膜，残余应力，孔隙率，多孔硅 ： ， ， !## ()($ )!$$ )!$ 电化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力，首先利用 !; 引 言 阴影云纹法与相移技术和数字图像处理技术相结合 对多孔硅薄膜A硅基底三维形貌进行测量，进而得到 随着微电子机械系统（ ）技术的不断发展， ,= 基底表面的平均曲率，最后依据 =895E2 公式计算了 多孔硅（ ， ）优良的热学性能和力学性 多孔硅薄膜的残余应力，并研究了孔隙率和基底掺 9?93@ @010:95 = 能正逐渐被人们所重视，目前研究表明多孔硅薄膜A 杂浓度对残余应力的影响’ 硅基底结构可以作为,= 中的结构层和牺牲层材 料 早在 世纪 年代， 和 等就已提 ’ $ $ BC10? D3?5E? ; 实验方法 出，在 溶液中用电化学方法对单晶硅进行阳极 FG 处理，就可以得到多孔硅，与基体硅相比，多孔硅具 $ % % 薄膜的制备与测试方法 有较大的晶格常数，晶格错配度一般在$ ;$#* 或更 ［］ 低的范围! ’ 由于薄膜与基体材料之间的晶格错配， 采用直流电化学腐蚀法制作多孔硅薄膜，分别 热学力学等参数失配引起薄膜与基底间的界面上出 选用电阻系数为 — · 的重掺杂硼离子 $ ;$! $ ;$ ! :. 现的残余应力对其构成的组件的可靠性、稳定性和 I 型（ ）方向的硅晶片和电阻系数为 — ·