二次离子质谱SIMS.ppt

二次离子质谱 SIMS—优点： 一种“软电离”技术，适于不挥发的热不稳定的有机大分子 得到样品表层真实 信息 分析全部元素（同 位素） 实现微区面成分分 析和深度剖析 灵敏度很高，动态 范围很宽 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS) ： SIMS—原理示意图： 影响二次离子产额的因素： 初级离子的能量 入射角度 原子序数 晶格取向 Is=Ipγocαf IS: secondary ion current Ip: primary ion current γo:total sputter yield c: fractional concentration of an element α: degree of ionzation f: mass spectrometer transmission by Helmut W. Werner SIMS—二次离子质谱仪： SIMS—离子源： 热阴极电离型离子源 双等离子体离子源 液态金属场离子源 SIMS—质量分析器： 四极质谱计（Quadrupole Mass Spectrometer） 双聚焦磁偏转（Double Focusing Magnetic Sector —QMS ）质谱计 飞行时间（Time of Flight—TOF）质谱计 代表性的商品化SIMS仪器： ??? Quadrupole Based SIMS 德国ATOMIKA 4600 美国Φ (PHYSICAL ELECTRONIC） ADEPT – 1010 ?? Double Focusing Magnetic SIMS 法国CAMECA IMS 6f, 1270和NANO 50 澳大利亚国立大学SHRIMP RG TOF (Time-of-Flight) - SIMS 德国ION-TOF GmbH TOF-SIMS IV 美国Φ (PHYSICAL ELECTRONIC） TRIFT III SIMS的发展—离子探针 又称离子微探针质量分析器（Ion Microprobe Mass Analyzer—IMMA）或扫描离子显微镜（SIM） SIMS的发展—直接成像质量分析器 Director Imaging Mass Analyzer(DIMA)，又称成像质谱仪（Imaging Mass Spectrometer—IMS）或离子显微镜（IM） SIMS的发展—静态SIMS和动态SIMS Static SIMS Dynamic SIMS SIMS的发展—SNMS Sputter Neutral Mass Spectroscopy SIMS—局限性： 样品成分复杂时识谱困难 基体效应（Matrix Effect） 定量分析困难 SIMS应用示例（一）： SIMS应用示例（二）： SIMS还应用于： 半导体及微电子领域：基体表面痕量杂质分析 环境领域：大气中微粒成分分析 地球及天体科学：地质样品 纳米科学：纳米材料的结构 …… 化学、物理学、生物学、材料科学、微电子、光电、冶金、地质、矿物、医药等领域 六、二次离子分析方法 1. 定性分析 痕量杂质分析 2. 定量分析 检测到的离子流与样品成分间的关系 （1）基本公式 I ±(xn, t) = A Jp S±(xn)f C(xn,t) = Ip S±(xn)f C(xn,t) 其中C(xn,t)为分析时xn成分在表层中的体浓度， 常用百分浓度、ppm或ppb表示。 由于S±的不确定性，使按公式进行定量分析失去实际意义。 （2）实际定量分析方法 标样法：通用标样、专做标样 (离子注入标样) 利用大量经验积累或研究相对变化 3．深度剖面分析 边剥离边分析，通过溅射速率将时间转化为深度。可同时检测几种元素。 绝对分辨与相对分辨 弧坑效应－电子门取样 4. 绝缘样品分析中的“中和”问题 绝对深度分辨与相对深度分辨 弧坑效应对SIMS深度剖析的影响 七、最新进展与热点 1. MCs+-SIMS： Cs+离子源的优点 Δ可提高负二次离子产额 Δ 溅射产额高，可减少深度剖析的时间 Δ MCs+有助于克服基体效应，实现多层结构定量分析 2. “ 后电离”技术 分析对象：溅射得到的中性粒子 优点：减