北京工业大学电子信息材料第2章 半导体中杂质和缺陷能级.pdf

半导体材料物理 (2013.4.16 ~ 2013.6.6) 材料科学与工程学院 王如志 第二章 作业题 ① 什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ ② 什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说 明之，并用能带图表征出n型半导体。 ③ 什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说 明之， 并用能带图表征出p型半导体。 ④ 掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？ ⑤ 深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ ⑥ 已知Si和Ge的晶格常数分别是5.43Å和5.66Å，试求Si、Ge的原子密 度。 ⑦ 如果在Si中掺杂的p （浅能级杂质）为1ppm，其电子浓度是多少？ ⑧ 如何看待点缺陷、线/面缺陷在半导体和金属中的作用。 ⑨ 讨论半导体的掺杂主要是何种形式以及可能的原因。 第一章 复习回顾 1. 半导体晶体结构 2. 能带形成 3. 能带结构 1 dE k 2 V k 1 1 d E 4. 电子速度及有效质量 ( ) *  dk m * 2 2 n m  dk n 5. 导电机构 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 1. 杂质与缺陷 2. 半导体制备工艺 3. 元素半导体的杂质能级（Si、Ge） 浅能级、深能级、杂质补偿、杂质电离 4. 化合物半导体的杂质能级 等电子杂质、两性杂质 5. 缺陷能级 1. 杂质与缺陷 缺陷是美？ 实际半导体中的杂质与缺陷：制备过 程出现的大量的缺陷和杂质（非完整 的周期结构）有意的控制掺杂（半 导体应用的本质） 杂质：半导体晶体中新的原子或离子 缺陷：晶体周期性结构受到破坏 杂质与缺陷将导致晶格周期势场破坏，半导 体产生了新的能级，从而导致半导体特性改 变； Si之所以成为目前最重要半导体，在于能较 容易实现其精确地可控掺杂。 杂质也可看做为一种特殊的缺陷 硅的纯度(N) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 硅的等级 冶金级/金属级 太阳能级 电子级 1. 杂质与缺陷 缺陷基本定义 点缺陷：局部晶体结构的一种不规则性（周期性的破坏） 线缺陷：周期性的破坏局域在线附近, 一般是位错（dislocation ） 面缺陷：周期性的破坏局域在面周围，一般为晶界（ grain boundary ） 1. 杂质与缺陷 点缺陷(0D defects)类型和杂质存在方式 空位 （lattice vacancy） 点缺陷的类型 基质原子的填隙（inerstitial position） 杂质原子的填隙与替位（substitution position) 1. 杂质与缺陷