河南师范大学数子电子技术基础课件第7章 半导体存储器.pptVIP

7.3.4 RAM组件及其连接 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A2 A1 A0 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 CS GND VCC D3 D2 D1 D0 R / W RAM 2114 管脚图 2 3 4 5 6 7 8 9 10 23 22 21 20 19 18 17 16 15 A0 A1 D0 A3 A4 A5 A6 A9 A10 CS GND VCC D3 D2 D1 D4 RAM 6116 管脚图 A2 A7 1 11 12 14 13 24 A8 D5 D6 D7 RD WR 一、扩大 RAM( 如2114 )的位数 要达到这个目的方法很简单，只要把各片地址线对应连接在一起，而数据线并行使用即可，示范接线如下图： D7 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 . . . . . . D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 . . . CS R/W A0 A9 2114 (1) 2114 (2) 用(两片2114) 1024 × 4 构成 1024 × 8 二、 增加 RAM( 如2114 )的字数 通过用1024×4 ( 4片2114 ) 构成4096×4为例，介绍解决这类问题的办法。 (1) 访问4096个单元，必然有 12