电子电力系统.PPT

* 功率半導體開關概論 直流至直流切換式轉換器 直流至交流切換式反流器 授課教師：魏榮宗博士 服務單位：元智電機系 電力電子系統 目前所用的功率半導體元件，依據可控制的程度可分為三類 1．二極體(Diodes)：導通與否由電力電子電路來決定。 2．閘流體(Thyristors)：導通由控制信號觸發，截止則需藉助電力電子電路。 3．可控制開關(Controllable Switches)：導通與截止皆由控制信號決定。 A.雙極性接面電晶體(BJT) B.金氧場效應電晶體(MOSFET) C.閘關閘流體(GTO) D.閘極絕緣雙接面電晶體(IGBT) 功率半導體開關概論 二極體 二極體之電路符號及電壓對電流的穩態特性如圖1.1(a)及圖1.1(b)所示，二極體在順向偏壓時導通，而導通時的壓降約為1伏特。在逆向偏壓時，只有非常小的洩漏電流通過，直到大於逆向崩潰電壓。通常二極體在正常操作時，反向電壓必須在逆向崩潰偏壓內。若反向洩漏電流及導通電壓降與實際電路操作之電流及電壓降比較後可以忽略，則二極體可以用圖1.1(c)的理想特性表示，以簡化轉換器電路之複雜性。 依用途區分，二極體類型可分為： 1．蕭特基(Schottky）二極體：其導通壓降很低，典型為0.3伏特，適用於低 電壓輸出之電路，其逆向耐壓約為50至100伏特。 2．快速恢復(Fast-Recovery)二極體：其逆向恢復時間很短，用在高頻切換電 路中與可控制開關配合使用。其容量大約為數百伏及數百安培，小於幾個 微秒。 3．線頻(Line-Frequency)二極體：由於其設計是盡量降低導通壓降，因此逆 向恢復時間較大。但對於以線頻操作之應用而言是可以接受的，其耐壓 可達幾千伏特，耐流為幾千安培，可以串並聯方式增加其電壓與電流之 容量。 閘流體 閘流體的電路符號與電壓電流特性如圖1.3(a)及圖1.3(b)所示。導通電流的方向為由陽極(A)到陰極(K)。導通時導通壓降通常只有幾伏特(視其耐壓容量而定，典型為1至3伏特)。當閘流體一導通，即使移去閘極電流，亦可繼續保持導通，特性如同二極體，其截止無法藉由閘極控制，只能藉由所連接之電路使流經閘流體之電流為零才能使之截止。當逆向偏壓小於其崩潰電壓時，只有很小之洩漏電流會通過，如圖1.3(b)所示，通常順向與逆向之崩潰電壓會相同，其理想特性如圖1.3(c)所示。 閘流體的操作可以圖1.4(a)的電路來說明。其中閘流體的觸發導通只能於輸入電壓之正半週進行，當輸入電壓進入負半週後，由於純電阻性電壓與電流同向，因此理想的閘流體會在t=T/2時截止，其波形如圖1.4(b)所示。 對於實際的閘流體而言，其電流如圖1.4(c)所示，在變為零之前必須反向，其截止時間的計算與二極體不同，是以從電流經過零點到電壓經過零點的時間來計算。在這段時間閘流體的跨壓必須維持一定之負值，之後才有能力在未觸發時承受順向偏壓而不導通，如果在tq之間即加上順向偏壓，則閘流體甚至整個電路都將因其不完全導通而損毀，因此tq又稱為閘流體的換向回復時間。 根據閘流體的各種特性及其應用範圍加以區分為 1 ．相控閘流體(Phase-Control)：主要用途為交/直流馬達驅動及高壓直流 輸電所需之線頻電壓整流，其特點為高電壓電流容量及低導通壓降， 目前產品之平均電流可達4000安培，耐壓5000至7000伏特，導通壓 降在耐壓1000伏的約為0.5伏特，而5000至7000伏的約為3伏特。 2 ．反流器級(Inverter-Grade)閘流體：其特點為低換向回復時間及低導 通壓降，目前容量可達2500伏特/1500安培。 3．光驅動閘流體(Light-Activated)：閘流體的觸發是由光脈衝經由光纖 傳送至閘流體內部較靈敏的部分，主要用途為高壓直流輸電，光驅 動閘流體的容量現今可達4000伏特∕3000安培，導通壓降約2伏特。 其他不同應用型式的閘流體尚有：閘輔助截止閘流體(GATTs)、非對稱型矽控制整流子(ASCRs)，以及反向導通閘流體(CRTs)等。 可控式開關 可控式開關特性需求 1．截止狀態下具有很小的洩漏電流。 2．低導通壓降以降低導通損失。 3．極短之導通與截止時間，使元件之切換頻率可以提高。 4．很高的順向與逆向耐壓能力，以避免使用元件串接方式時徒增控制及 保護之複雜性及增加導通損失。若可控式開關具有反向並接之二極體 ，其允許電流逆向流通，則開關是否具有逆向耐壓之能力便