退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.08万字
约 6页
2019-05-24 发布于天津
举报
版权申诉

退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

· 348 · 硅酸盐学报 2007 年第 35 卷第 3 期硅酸盐学报 Vol. 35 ，No. 3 2 0 0 7 年 3 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY March ，2007 退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性刘中华，何捷，孟庆凯，王静 ( 四川大学物理科学与技术学院，辐射物理及技术教育部重点实验室，成都 610064) 摘要：以高纯五氧化二钒(V O )粉末(纯度≥99.99%，质量分数)为原料，用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜，并测试其在真空退火前、后的 X 射线 2 5 光电子能谱、X 射线衍射谱及电阻–温度关系曲线。结果显示：低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是，在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高，高真空下退火制备的薄膜经历了从 VO (B)到 VO (B)与 V O 混合，再到 V O 2 2 6 13 6 13 的转变过程，B 表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从 VO (B)到 VO (A) 的转变，A 表示薄膜有热致相变特性。这些薄膜的 2 2 电学性质也有很大不同。关键词：氧化钒；物相；真空度中图分类号：O484 ；O47 文献标识码：A 文章编号：0454–5648(2007)03–0348–06 RELATIVITY BETWEEN ANNEALING VACUUM AND PHASES OF VANADIUM OXIDE THIN FILMS LIU Zhonghua ，HE Jie ，MENG Qingkai ，WANG Jing (Irradiation Physics and Technology Key Laboratory of National Education Ministry, College of Physics Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064,China) Abstract: Vanadium oxide thin films were prepared from vanadium pentoxide (V O ) powder (purity ≥99.99%, in mass) by the vacuum 2 5 evaporation technique and were annealed in a vacuum. The as-annealed and an