MEMS器件及相关加工技术.ppt

从科幻到现实 科幻《奇异的旅行》 内窥镜手术 安全气囊 微管道机器人 …… 加速度传感器 微镊子 微型光学元件 微型光学元件 MEMS Variable Attenuator Fourier Transform Spectrometer Sensor Chip 微型挖土机 微型苍蝇 微型飞机 微型飞机 小 结 What is MEMS? Why? How? MEMS基本工艺 MEMS工艺选择 体硅加工工艺 - 直接，制备流程固定 -工艺成本低，单材料损耗高 -适于简单图形，如压力传感器、加速度计和一些执行器 -容积率小，表面尺寸大于底部尺寸 表面MEMS加工工艺 -要在衬底上沉积多层结构 -工艺复杂，成本高 - 牺牲层工艺，存在应力不匹配和粘连问题 - 优点：不受Si片厚度限制，薄膜材料选择范围大，适于图形复杂的器件，如梳齿结构等。 MEMS工艺与IC工艺对比 IC工艺：MOS（N、P、C、硅栅、铝栅）、双极、BiMOS。平面薄膜工艺、种类少（晶体管）、电学处理功能（处理、存储、互连等） MEMS工艺： 种类多Sensor and Actuator(力、热、光、磁、马达、泵、阀等） 工艺繁多，各有特点 强调纵向加工 有活动部件 MEMS工艺的特殊考虑 双面光刻 键合及对准键合：Si/Si、Si/玻璃 DRIE 体硅腐蚀工艺 Au等金属工艺：连线、键合 对衬底的新要求：粗糙度等 厚膜淀积与刻蚀（IC：500nm, MEMS: 2微米） 结构释放技术 MEMS的特殊工艺 -体硅腐蚀工艺 -晶面键合工艺 - 双面光刻 体硅腐蚀工艺 MEMS工艺设计考虑 清洗工艺 C处理：大部分半导体材料 硫酸、氨水、盐酸、双氧水 有机清洗：样品表面有金属或功能材料 三氯乙烯、丙酮、无水乙醇 每步工艺前都应经过严格的清洗！！！！ 光刻工艺考虑 光刻胶选择： ---正胶、负胶、反刻胶 --- 厚胶、薄胶 ---金属胶、高温胶 胶厚设计： ---腐蚀工艺，干法刻蚀由刻蚀选择比决定， 湿法腐蚀一般1-2微米左右。 ---剥离，倒台阶，金属厚度3倍 金属图形化：腐蚀or剥离 容差设计：光刻胶覆盖部分图形尺寸略小 金属淀积工艺 金属材料选择：与样品的粘附性好。 ---掩膜材料，工艺淀积和腐蚀易完成。 ---电极，要考虑欧姆接触还是肖特基接触。 工艺手段选择： ---电子束蒸发，厚，易剥离，厚度精确度稍低。 ---磁控溅射，厚度控制精确，nm量级，致密，但不易剥离，受靶材限制。 工艺设计中的基本考虑 一般先从底层作起，逐步向上 工艺设计要“瞻前顾后、兼顾左右”，把器件的平面图和剖面图都画出来。 选择材料要考虑后工艺是否可行，与IC工艺的兼容 光刻要特别考虑台阶问题 高温工艺下的应力问题 在可能的情况下尽可能使用成熟工艺 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 光 刻（一） 对版标记设计宗旨：了解光刻原理，方便光刻人员对版。 ----标记大小：非透光对版标记要略小于原对版标记，阴版对版标记要开窗口。 ---- 标记上方或下方写上版号。 ---- 第一步光刻工艺留下所有的对版标记，一般通过腐蚀得到。 ---- 如果第一版留下的对版标记上覆盖了较厚的薄膜，在开窗口的工艺中尽量开出来。 ---- 对光刻工艺要求较高的细小图形，要做出相应的检验图形。 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 光刻（二） 背面光刻 ----做版时注明为背面光刻版，镜面反相180度，左右对版标记间距要在光刻机的镜头范围之内。 台面光刻 ---- 样片表面高度差较大时，用到厚胶光刻工艺，设计容差增加。 KOH腐蚀相关 ----补偿角、划片槽（贯穿深腐蚀用虚线），对准标记要远小于正式图形。 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 腐蚀工艺 干法刻蚀：图形传递精确，不受材料限制