金属与半导体Ge欧姆接触制备性质及其机理分析.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 16 (2013) 167304 金属与半导体Ge 欧姆接触制备、性质及其机理分析* † 严光明 李成 汤梦饶 黄诗浩 王尘 卢卫芳 黄巍 赖虹凯 陈松岩 ( 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心, 厦门 361005 ) ( 2013年4月12 日收到; 2013年5月3 日收到修改稿) 金属与Ge 材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应, 尤其与n 型Ge 形成的欧姆接触的比接触电阻率高, 是制约Si 基Ge 器件性能的关键因素之一. 本文对比了分别采用金属Al 和Ni 与Si 衬底上外延生长的p 型Ge 和n 型Ge 材料的接触特性. 发现在相同的较高掺杂条件下, NiGe 与n 型Ge 可形成良好的欧姆接触, 其比接触电阻率较 19 −3 −5 2 Al 接触降低了一个数量级, 掺P 浓度为2 × 10 cm 时达到143 × 10 Ω·cm . NiGe 与p 型Ge 接触和Al 接触的 18 −3 −5 2 比接触电阻率相当, 掺B 浓度为42 × 10 cm 时达到168 × 10 Ω·cm . NiGe 与n 型Ge 接触和Al 电极相比较, 在形成NiGe 过程中, P 杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因. 采用NiGe 作为Ge 的接触电极在目 前是合适的选择. 关键词: 金属与Ge 接触性质, NiGe, 比接触电阻率 PACS: 73.40.Cg, 61.82.Bg DOI: 10.7498/aps.62.167304 属和n 型Ge 之间插入纳米量级的绝缘层或半导 体层(如Al O 3 , SiN4 , GeOx 5 , TiO2 6 , Si7 等) 1 引言 2 3 以降低势垒高度; 2) 直接用化合物金属(如TiN8 , Ge 具有高的载流子迁移率, 且与Si 工艺兼容 TaN9 等) 与n 型Ge 接触以改变其界面钉扎能级 性好, 因此Si 基Ge 材料是制备光电子器件和下一 位置, 降低其势垒高度. 虽然这两种方法都能形成 代金属氧化物半导体场效应晶体管器件重要的候 较好的欧姆接触, 但是介电物质和绝大多数化合 选材料之一. 但是由于Ge 材料表面态密度较高, 在 物金属的电阻率都比单质金属大一些, 都会引入 1 10 与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应 , 呈现出 较大的串联电阻 . 2012 年, 我们提出了利用金 非欧姆接触特性或者其比接触电阻率过高, 导致金 属性TaN 纳米薄膜作为金属与n-Ge 接触的中间 属与Ge 尤其是n 型Ge 的接触有较大的接触电阻, 层, 调节Al/n-Ge 的势垒高度, 获得了较低的接触电 是影响其器件性能的关键因素之一. 研究减小金属 9 11 阻率 . Gallacher 等 于2012 年在掺杂浓度为 与n 型Ge 接触电阻的方法和机理具有重要的意义.