脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的成核及带电性研究-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docx

- - I - - - PAGE IV - 摘 要 本文采用脉冲激光烧蚀技术，结合流体动力学模型和成核区模型，实验研究了环 境气压和平行挡板对烧蚀粒子与环境气体原子碰撞、成核、传输等微观过程的影响， 分析确定不同气压和挡板位置条件下纳米晶粒成核区的位置和范围。通过测量烧蚀粒 子的电流响应方法对激光烧蚀粒子的带电特性进行系统的研究，揭示激光烧蚀过程中 成核动力学的机理，探求影响纳米晶粒成核尺寸大小的关键因素。本工作的开展将有 助于对激光烧蚀动力学过程中纳米晶粒成核机理的深层次理解以及高质量尺寸可控的 纳米晶粒的制备。主要研究成果如下： 1、在 1~200 Pa 的 Ar 气环境下，采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶 Si 靶，在距离烧蚀 点正下方 2.0 cm 处水平放置一系列单晶 Si 或玻璃衬底，沉积制备纳米 Si 薄膜，研究 环境气压的变化对纳米 Si 晶粒成核区范围的影响。结果表明，随着环境气压的升高， 纳米 Si 晶粒成核区的范围开始增大，到气压为 50 Pa 时达到最大值 3.63 cm，继续提高 气压，成核区的范围有开始缓慢减小。 2、在 10 Pa 的 Ar 气环境气氛中，在远离靶平面位置处垂直放置挡板，而在羽辉下 方平行于羽辉方向放置衬底沉积纳米 Si 晶薄膜，实验研究挡板位置的变化对激光烧蚀 制备纳米 Si 晶粒成核区特征参数（成核区的范围、宽度等）的影响。结果表明，随着 挡板距离的增加，纳米晶粒成核区的范围逐渐减小，挡板在距靶 3 cm 时放置时纳米晶 粒成核区达到最小值为 2.78 cm。在不加挡板时纳米晶粒成核区宽度值最大。 3、为了得到近似水平方向运动的烧蚀粒子，在靶与衬底之间放置一个中心开孔的 挡板，通过改变挡板上孔径的尺寸，定量研究孔径尺寸对激光烧蚀沉积纳米 Si 晶粒产 量及其分布的影响。得到了随着孔径尺寸的增大纳米晶粒的平均尺寸逐渐减小，而纳 米晶粒的数量的与小孔直径的 1.5 次方成正比。 4、在以上研究的基础上，通过测量烧蚀粒子的电流响应方法对不同气压下激光烧 蚀粒子的带电特性进行系统的研究。结果表明，烧蚀粒子中硅离子的浓度随着气压的 增加呈现先增大后减小趋势，在气压为 3 Pa 时硅离子浓度达到最大值；纳米硅晶粒带 有正电荷，在气压为 8 Pa 条件下生成纳米硅晶粒的数量最多。另外，利用此方法对硅 离子的速度和阻尼系数进行了研究，给出了它们与环境气压之间的非线变化关系。 关键字：脉冲激光烧蚀 纳米硅晶粒 成核区 晶粒尺寸 电流响应 ABSTRACT In this article the puls laser depsition is applied. Combining hydrodynamic model and nucleation area model, the effect of ambient air pressure and parallel mask on the microscopic process of collision of ablated particles with ambient gas atoms, nucleation and transmission is experimental studied. In different conditions of ambient pressure and mask position, the location and region of nucleation area of Si nanoparticles are analysis confirmed. Furthermore, this partiles try to reveal the mechanism of pulse laser ablation and explore the key factor of impacting the nucleation size through research the charging characteristics of the laser ablation particles by measuring the current response of the ablated particles. This work will contribute to in-depth understanding Si nanoparticles nucleation mechanismof of laser ablation dynamic process and the preparation of high quality Si nanoparticles. The main results are as follows: