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DOI:10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2012.0164
31 6 Vol. 31． No． 6
第 卷第 期 分析试验室
2012 6 Chinese Journal of Analysis Laboratory 20 12 － 6
年 月
GD-MS 法和ICP-MS 法测定高纯铌中痕量元素
＊
， ， ， ， ，
李宝城 刘 英 童 坚 李继东 李艳芬 臧慕文
( ， 100088)
北京有色金属研究总院分析测试技术研究所 北京
: (GD-MS) Ta ，Mo ，W
摘 要 采用辉光放电质谱法 对高纯铌中 等痕量杂质元素
， GD-MS ，
进行了测试 并对 工作参数进行了优化 部分元素与采用电感耦合等离
(ICP-MS) ，
子体质谱法 定量分析的结果进行比较 对某些元素含量差别较大的原
因进行了分析， Element GD
论述了 辉光放电质谱仪的特点及其在痕量杂质分析
上的优势。
: ; ; ;
关键词 高纯铌 辉光放电质谱法 电感耦合等离子体质谱法 痕量元素分析
中图分类号:O657. 63 文献标识码:A 文章编号:1000-0720 (2012)06-039-04
铌作为金属材料的一种合金元素在结构材料 点及其在痕量杂质分析诸多方法中的优势。
和燃料材料方面铌都得到广泛应用［1］。高纯铌的 1 实验部分
4N ， Ta 1. 1 仪器与试剂
纯度可达 以上 其主要杂质为伴生元素 和
Element GD (
Mo 、W ， 辉光放电质谱仪 美国赛默飞世
制备过程中较难除去的高熔点元素 等 其
);7500CE ICP-MS ( Agilent );HNO (
， 尔 型 美国 约
他元素的含量非常低 因此对高纯铌中痕量杂质元 3
1. 42 g / mL ，MOS ， );HF
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