分子束磊晶机台.PPT

半導體專題實驗 實驗五 金屬半導體場效電晶體之製作與量測 Why MESFET ? High electron mobility 低電阻，高輸出電流 快速充放電荷 數位高速元件 High saturation velocity 高截止頻率 類比高頻元件 應用：GPS 　　 MESFET的結構 MESFET的Gate是將金屬直接放在n-type GaAs通道之上形成的。 通道長度L、寬度W由Gate長度決定。 為了降低Drain和Source接點的寄生電阻，兩個接點是做在n+ GaAs上。 What is MESFET ? 操作原理 MESFET的操作與JFET操作極類似。Gate下的通道形成空乏區，空乏區的厚度由Vgs控制，這等效控制了通道的尺寸，因而控制了對應Vds由Drain流向Source的電流，Vds使等效通道變成錐形。 歐姆接觸 金屬與半導體間的接點 蕭基二極體 歐姆接觸 蕭基二極體 如同p-n junction般形成空乏區，但金屬部分無此一現象。 n-type傳導帶較金屬高，電子向金屬移動 。 p-type價帶較金屬低，電洞向半導體移動。 空乏區受摻雜與能障高低影響 　 歐姆接觸 為避免影響元件特性，歐姆接點盡可能只表現如一很小之電阻。 摻雜濃度夠高 若半導體摻雜的濃度過高，幾乎任何金屬與之接觸都能產生歐姆接觸．但因此濃度不易達到（1×10^19），故改以合金替代 Au-Ge有相當低的barrier，Ni則有助於歐姆接觸形成 不同半導體與不同金屬形成歐姆接觸的方法各異 形成歐姆接觸的各種方法 磊晶Epitaxy Epitaxy：磊晶，源字兩個希臘文 Epi：在什麼的上面 Taxis：安排好的、有秩序的 在單晶基片上，再長一層薄的單晶層 在基片的深部進行重度參雜，提高電晶體效能。 CVD Epitaxy、Molecular Beam Epitaxy 分子磊晶技術（MBE） 以超高真空蒸鍍的方式進行磊晶 蒸發的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上 以快門阻隔的方式，控制蒸發分子束 優點是能夠精準控制磊晶的厚度 MBE示意圖 分子束磊晶技術(MBE)裝置圖 /projects/ece/mrc/groups/street_mbe/mbechapter.html#Basic 分子束磊晶技術(MBE) 基片加熱器 Substrate heater 旋轉器 CAR(continual azimuthal rotation ) 分子束磊晶技術(MBE) Ion gauge BEP gauge (beam effective pressure) 液態氮冷卻裝置 Cryopanels 分子束磊晶技術(MBE) 分子束裝置 Effusion cell 溫度來控制各個分子 束所需要的流量(flux) 每增加0.5度C，flux 上升1% 由電腦控制前方檔板 分子束磊晶技術(MBE) RHEED gun reflection high-energy electron diffraction gun 反射高能量 電子繞射槍 沉積速率、基片溫度 、基片表面原子排列情形 分子束磊晶技術(MBE) 由RHEED gun 打出電子束(10keV、0.5~2degree) 經由基片表面反射 在Fluorescent Screeng上觀察反射及繞涉影像來判斷磊晶的情形 分子束磊晶技術(MBE) RHEED接收信號和磊晶情形的關係圖 分子束磊晶機台 MESFET的操作原理 簡介 MESFET即是Metal-Semiconductor Field Effect Transistor。早期積體電路上的元件都是用矽製成的，但MESFET卻是用GaAs，其優點是GaAs的電子mobility是矽的5到8倍，所以在相同跨壓下，GaAs元件所形成的電流比Si元件大很多，能較快地對負載電容及寄生電容充放電，因此電路速度較快。 因為電洞在GaAs中的mobility很低，所以一般只有n-channel的MESFET。缺少互補電晶體是GaAs技術的一大缺點。 MESFET的操作原理 簡介 金鍺鎳合金為集極和源極。 鋁為閘極。 n+ GaAs用來降低集極源極和n- GaAs的接面電阻。 n- GaAs為電流通道。 MESFET的操作原理 簡介 加上負的Vgs，n-區的電子會往源極走，又因為閘極與n-區的接面電阻較大，電子補充不易，所以在n-區會形成載子空乏區，減少電流通道。 如果Vgs太負的話，n-區空乏區太大，會導致電流截止。定義臨界電壓Vt，”Vt為