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计算机论文排版总结 　　目录　　摘要.....................................................................1　　1实验....................................................................32结果与讨论　　薄膜的结构与形貌.....................................................3　　薄膜的电学和光学特性.................................................5　　3结论.........................................................................................................................................8　　EffectsofAnnealingonPropertiesofZnO／Cu／ZnO　　TransparentConductiveFilm　　李文英，钟建，张柯，汪元元，尹桂林，何丹农。　　LiWen—ying1，ZHONGJian2，ZHANGKe2WANGYuan—yuan2，　　YINGui一1in2．HEDan—nong1’2　　(1上海交通大学材料科学与工程学院，上海XX40；2纳米技术及应用国家工　　程研究中心，上海XX41)(1SchoolofMaterialsScienceand　　Engineering．ShanghaiJiaoTongUniversity，ShanghaiXX40，China；2NationalEngineeringResearchCenterforNanotechnology，ShanghaiXX41，　　China)　　摘要：室温下利用磁控溅射制备了ZnO／Cu／ZnO透明导电薄膜，采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外一可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明：退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向，随着退火温度的升高，薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加，薄膜电阻率先降低后升高，光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150。C下真空退火的ZnO／Cu／ZnO薄膜的性能最佳，最高可见光透光率为90．5％，电阻率为1．28×10-4Q·cIn，载流子浓度为4．10×1021cm。　　关键词：退火；ZnO；Cu；透明导电薄膜　　中图分类号：TN304；0484文献标识码：A文章编号：1001—4381(XX)01—0044　　—05　　Abstract：ZnO／Cu／ZnOtransparentconductivethinfilmwaspreparedbymagneticsputteringdeposi—tionatroomtemperature．Therelationshipsbetweenpost—annealingandthestructure，morphology，electricalandopticalpropertiesofthemultilayerfilmwereinvestigatedbyX—raydiffraction(XRD)，canningelectronmicroscope(SEM)。Halleffectmeasurementsys—temandUV—Visspectrophotometer．TheresultsindicatethatZnOfilmshave(002)preferentialori—entationbeforeandafterannealing．Withtheincreaseofannealingtemperature，thecrystallization，grainsizeandsurfaceroughnessincrease．Theresistivitydecreasesatfirstandthenincreases，whiletheopticaltransmittanceandbandgapenergyincreaseatfirstandthendecrease．ZnO／Cu／ZnOfilmannealedat150℃hasthebestperformancewiththehighesttransmittanceof90．5％inthevisiblerange，aresistivityof1．28×10—4n·cmandacarrierco