大功率LED散热封装技术.pptVIP

姓名：朱 江 专业：物理电子学 课程：电子器件封装 1、引言 2、热效应对大功率LED的影响 3、封装结构 硅基倒装芯片（FCLED）结构 金属线路板结构 微泵浦结构 半导体制冷结构 4、发展趋势 引言 LED是一种注入电致发光器件，在外加电场作用下，电子与空穴的辐射复合而发生的电致作用将一部分能量转化为光能，即量子效应，而无辐射复合产生的晶格振荡将其余的能量转化为热能。对大于1W级的大功率LED而言。目前的电光转换效率约为15％，剩余的85％转化为热能，而芯片尺寸仅为1mmx1mm-2.5mmx2.5mmm，意即芯片的功率密度很大。与传统的照明器件不同，自光LED的发光光谱中不包含红外部分，所以其热量不能依靠辐射释放。因此，如何提高散热能力是大功率LED实现产业化有待解决的关键技术难题之一。 热效应对大功率LED的影响 对于单个LED而言，如果热量集中在尺寸很小的芯片内而不能有效散出，则会导致芯片的温度升高，引起热应力的非均匀分布、芯片发光效率和荧光粉激射效率下降。研究表明，当温度超过一定值时，器件的失效率将呈指数规律攀升，元件温度每上升2℃，可靠性将下降10%。为了保证器件的寿命，一般要求pn结的结温在110℃以下。 随着pn结的温升，白光LED器件的发光波长将发生红移。据统计资料表明，在100 ℃的温度下，波长可以红移4-9nm，从而导致YAG荧光粉吸收率下降，总的发光强度会减少，白光色度变差。在室温附近，温度每升高1℃，LED的发光强度会相应减少1％左右，当器件从环境温度上升到120℃时，亮度下降多达35％。当多个LED密集排列组成白光照明系统时，热量的耗散问题更严重。因此，解决散热问题已成为功率型LED应用的先决条件。 硅基倒装芯片（FCLED）结构 传统的LED采用正装结构，上面通常涂敷一层环氧树脂，采用蓝宝石作为衬底。 由于环氧树脂的导热能力很差，蓝宝石又是热的不良导体，热量只能靠芯片下面的引脚散出，因此前后两方面都造成散热困难，影响了器件的性能和可靠性。 2001年．Lumileds公司研制出了AlGaInN功率型封装芯片结构。 这样，大功率LED产生的热量不必经由芯片的蓝宝石衬底，而是直接传到热导率更高的硅或陶瓷衬底，再传到金属底座。由于其有源发热区更接近于散热体，因此可降低内部热沉热阻。这种结构的热阻理论计算最低可达到1.34K／W．实际已作到6-8K／W，出光率也提高了60％左右。 但是，热阻与热沉的厚度是成正比的，因此受硅片机械强度与导热性能所限。很难通过减薄硅片来进一步降低内部热沉的热阻，这就制约了其传热性能的进一步提高。 金属线路板结构 金属线路板结构利用铝等金属具有极佳的热传导性质，将芯片封装到覆有几毫米厚的铜电极的PCB板上，或者将芯片封装在金属夹芯的PCB板上，然后再封装到散热片上，以解决LED因功率增大所带来的散热问题。采用该结构能获得良好的散热特性，并大大提高了LED的输入功率。美国UOE公司的Norlux系列LED，将已封装的产品组装在带有铝夹层的金属芯PCB板上，其中PCB板用作对LED器件进行电极连接布线，铝芯夹层作为热沉散热。 图3示出金属线路板结构。其缺陷在于，夹层中的PCB板是热的不良导体．它会阻碍热量的传导。 据研究，将OSRAM 公司的Golden Drag-on系列白光LED芯片LW W5SG倒装在一块3mm x3mm，且水平放置的金属线路板上，在LED器件与金属线路板之间涂敷1898In-Sil-8热接口材料，其系统热阻约为66.12K/W。 微泵浦结构 2006年Sheng Liu等人通过在散热器上安装一个微泵浦系统，解决了LED的散热问题，并发现其散热性能优于散热管和散热片。在封闭系统中，水在微泵浦的作用下进入了LED的底板小槽吸热，然后又回到小的水容器中，再通过风扇吸热。图4示出这种微泵浦结构。它能将外部热阻降为0.192K／W，并能进行封装。这种微泵结构的制冷性较好。 徐德胜. 半导体制冷与应用技术 [M]．上海交通大学出版社 , 1992. 吸收和放出的热量与电流强度I成正比，且与两种导体的性质及热端的温度有关，即： Qab=I*∏ab 　 I--流经导体的电流，∏ab称做导体A和B之间的相对帕尔帖系数，单位为[V]，∏ab为正值时，表示吸热，反之为放