国家自然科学奖推荐书-中国科学院物理研究所.DOCVIP

PAGE PAGE 13 国家自然科学奖项目公示 ( 2016 年度) 一、项目名称 半导体晶格失配外延方法及相关表征手段研究 二、专家推荐意见 三、项目简介 （限1200字） 项目属于材料科学中的半导体材料领域。 该项目针对在微电子和光电子领域中重要材料SiGe和GaN的生长和表征方法进行了长期的研究，做出了国际上有影响的工作。主要科学发现如下： 1）发明了利用高点缺陷密度层的高效阻挡位错独特方法 Si的电子迁移率是空穴的2.5倍，使得CMOS中电子和空穴速度不匹配。在SiGe上生长的Si薄膜的所谓应变硅技术，可以解决此问题。所以Si基上高质量SiGe薄膜的制备至关重要。 1991年贝尔实验室改进了组分渐变方法来制备SiGe，被当时国际上认为最成功的技术。但其关键参数都不能满足器件制作要求。本项目于1996年在国际上首次提出了在Si衬底上引入低温外延生长厚度仅50nm的高点缺陷密度Si层（LT-Si）的独特高效位错阻挡方法，获得了性能远优于贝尔实验室并满足器件要求的SiGe薄膜【他引2、3、4】。二种方法的示意图及主要材料参数对比如下： 该工作首次揭示了点缺陷能提供低能量的位错成核中心，起了收纳失配位错，捕获增殖位错的作用，从而利用点缺陷这一材料科学中的负面因素，成功获得了高质量的材料，为位错阻挡提供了一个全新的思路，在材料科学上有深层次的意义。 文章发表次年，著名学者